[发明专利]一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制作技术领域，尤其涉及一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法及系统。

背景技术

在半导体光刻过程中，测量并优化产品的套刻精度对于保证产品质量稳定性，提高产品良率至关重要。在集成电路制作过程中，集成电路板不同层次之间的套刻精度对制作的最终产品良率有很大的影响。因此对不同曝光台之间的套刻精度进行匹配十分必要。

目前，一般在半导体制造厂都配备有功能较齐全的套刻精度测量设备，在对不同曝光台之间的套刻精度进行匹配时，由于配备的套刻精度测量设备无法对制造的产品进行测量结果分析，同时也就不能根据测量的结果对曝光台之间的匹配进行优化，因此影响了最终产品良率。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法及系统，用以解决现有技术中配备的套刻精度测量设备无法对光刻机之间的套刻精度进行分析确定的问题。

本发明实施例提供的一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法，包括：

第一光刻机根据光罩上的集成电路图形对硅片进行第一层曝光，其中，所述光罩上的集成电路图形中包括至少一对测量区域，每对测量区域相互对称，每个测量区域内包括一个基准点及多个测量点；

根据第一层曝光后的硅片上与每个基准点及测量点对应的每个第一曝光点，确定每个测量区域内每个测量点对应的第一曝光点相对基准点对应的第一曝光点的坐标，并且确定每对测量区域的基准点对应的每个第一曝光点在每个方向的坐标差，根据所述每个方向的坐标差，沿每个对应方向移动第二光刻机；

采用移动后的第二光刻机对第一层曝光后的硅片进行第二层曝光，确定第二层曝光后对应每对测量区域内相互对称的每个测量点对应的第一曝光点和第二曝光点在每个方向上的坐标差；

根据确定的所述相互对称的每个测量点在每个方向上的坐标差，确定在每个方向上所述第一光刻机和第二光刻机之间的套刻精度量。

本发明实施例提供的一种确定光刻机之间套刻精度匹配的系统，包括：

第一光刻机，用于根据光罩上的集成电路图形对硅片进行第一层曝光，其中，所述光罩上的集成电路图形中包括至少一对测量区域，每对测量区域相互对称，每个测量区域内包括一个基准点及多个测量点；

测量装置，用于根据第一层曝光后的硅片上与每个基准点及测量点对应的每个第一曝光点，确定每个测量区域内每个测量点对应的第一曝光点相对基准点对应的第一曝光点的坐标；

控制装置，用于确定每对测量区域的基准点对应的每个第一曝光点在每个方向的坐标差，根据所述每个方向的坐标差，沿每个对应方向移动第二光刻机；

第二光刻机，用于对第一层曝光后的硅片进行第二层曝光；

确定装置，用于确定第二层曝光后对应每对测量区域内相互对称的每个测量点对应的第一曝光点和第二曝光点在每个方向上的坐标差，根据所述相互对称的每个测量点在每个方向上的坐标差，确定在每个方向上所述第一光刻机和第二光刻机之间的套刻精度量。

本发明实施例提供了一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法及系统，该方法当第一光刻机对硅片进行第一层曝光，根据第一层曝光后的硅片上每对测量区域内基准点之间的坐标差，移动第二光刻机，采用移动后的第二光刻机对硅片进行第二层曝光，根据第二层曝光后的硅片上每对测量区域内每对测量点之间的坐标差，确定第一光刻机和第二光刻机之间的套刻精度量，在本发明实施例中通过获取测量点的坐标，确定光刻机之间的套刻精度量，当测量点包括多个时，从而可以通过精确确定测量点之间的坐标差，进而精确的确定光刻机之间的套刻精度量。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法；

图2为本发明实施例提供的光罩上刻有集成电路图形；

图3为本发明实施例提供的光刻机对光罩上的集成电路图形在硅片上进行曝光的示意图；

图4为本发明实施例提供的根据两个点之间的坐标差，确定光刻机之间套刻精度量的示意图；

图5为本发明实施例提供的基于图2中光罩上的集成电路图形，经两层曝光后在硅片上对应的曝光点的示意图；

图6为本发明实施例提供的一种确定光刻机之间套刻精度匹配的系统结构示意图。

具体实施方式

下面结合说明书附图，对本发明实施例进行详细说明。

图1为本发明实施例提供的一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法，该方法包括以下步骤：