[发明专利]一种降低金属氧化物半导体管栅极寄生电阻的方法

权利要求书

1.一种降低金属氧化物半导体管栅极寄生电阻的方法，其特征在于，包括：

在金属氧化物半导体MOS管的源区层形成光刻版，所述光刻版设置有栅极引线孔区与源区对应的光刻窗口；

对所述光刻版进行光刻处理并得到栅极引线孔区与源区对应的光刻区域；

对所述栅极引线孔区与源区的光刻区域进行杂质注入处理；

对所述MOS管进行介质层淀积处理，形成介质层；

对所述介质层进行引线孔光刻处理，形成栅极引线孔；

在所述形成有所述栅极引线孔的MOS管中生成栅极金属层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述介质层进行引线孔光刻处理，形成栅极引线孔，具体为：

将所述栅极引线孔区的介质层去除，得到栅极引线孔。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述栅极引线孔区的光刻窗口为方形。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述杂质为硼或/和磷。

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述MOS管为双扩散金属氧化物半导体或绝缘栅极晶体管。