[发明专利]像素驱动电路、放电方法、数据写入方法及驱动显示方法

权利要求书

1.一种像素驱动电路，包括扫描线、数据线、用于连接电源极的电源线、用于连接接地极的接地线以及有机发光二极管器件，其特征在于，还包括：电容充电场效应晶体管、数据信号场效应晶体管、发光驱动场效应晶体管和数据存储电容；

所述电容充电场效应晶体管的栅极和数据信号场效应晶体管的栅极相连，且均连接所述扫描线；

所述电容充电场效应晶体管的漏极和数据信号场效应晶体管的漏极分别连接所述数据线；

所述电容充电场效应晶体管的源极连接所述数据存储电容的高电位端及所述发光驱动场效应晶体管的栅极；

所述数据信号场效应晶体管的源极连接所述电源线；

所述发光驱动场效应晶体管的漏极连接所述电源线，源极连接所述接地线及所述数据存储电容的低电位端；

所述有机发光二极管器件位于所述接地线上，该有机发光二极管器件的阳极连接所述数据存储电容与所述接地线的连接点，阴极连接所述接地极。

2.权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于：所述电容充电场效应晶体管、数据信号场效应晶体管和发光驱动场效应晶体管为非晶硅N型场效应晶体管、多晶硅N型场效应晶体管、多晶硅P型场效应晶体管、或非晶态氧化物半导体场效应晶体管。

3.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于：所述非晶

态氧化物半导体场效应晶体管为铟-镓-锌-氧簿膜晶体管。

4.一种基于权利要求1～3中任一所述像素驱动电路的放电方法，其特征在于包括：

扫描线上提供作为高电平的扫描信号，使电容充电场效应晶体管及数据信号场效应晶体管打开；

数据线上提供负数据电流，使数据存储电容放电；

电源线向发光驱动场效应晶体管的漏极提供作为低压的电源信号，使有机发光二极管器件处于关闭状态。

5.一种基于权利要求1～3中任一所述像素驱动电路的数据写入方法，其特征在于，当所述像素驱动电路完成放电之后包括：

扫描线上提供作为高电平的扫描信号，使电容充电场效应晶体管及数据信号场效应晶体管打开；

数据线上提供正数据电流，使数据存储电容充电；

电源线向发光驱动场效应晶体管的漏极提供作为低压的电源信号，使有机发光二极管器件处于关闭状态。

6.一种基于权利要求1～3中任一所述像素驱动电路的驱动显示方法，其特征在于，当所述像素驱动电路完成数据写入之后包括：

扫描线上提供作为低电平的扫描信号，使电容充电场效应晶体管及数据信号场效应晶体管关闭；

电源线向发光驱动场效应晶体管的漏极提供作为高压的电源信号，使有机发光二极管器件处于导通发光状态。

7.一种像素驱动电路，包括扫描线、数据线、用于连接电源极的电源线、用于连接接地极的接地线以及有机发光二极管器件，其特征在于，还包括：电容充电场效应晶体管、数据信号场效应晶体管、发光驱动场效应晶体管和数据存储电容；

所述电容充电场效应晶体管的栅极和数据信号场效应晶体管的栅极相连，且均连接所述扫描线；

所述电容充电场效应晶体管的漏极和数据信号场效应晶体管的漏极分别连接所述数据线；

所述电容充电场效应晶体管的源极连接所述数据存储电容的高电位端及所述发光驱动场效应晶体管的栅极；

所述数据信号场效应晶体管的源极连接所述电源线；

所述发光驱动场效应晶体管的漏极连接所述电源线，源极连接所述接地线及所述数据存储电容的低电位端；

所述有机发光二极管器件位于所述电源线上，该有机发光二极管器件的阴极连接所述数据信号场效应晶体管与所述电源线的连接点，阳极连接所述电源极。

8.权利要求7所述的像素驱动电路，其特征在于：所述电容充电场效应晶体管、数据信号场效应晶体管和发光驱动场效应晶体管为非晶硅N型场效应晶体管、多晶硅N型场效应晶体管、多晶硅P型场效应晶体管、或非晶态氧化物半导体场效应晶体管。

9.根据权利要求8所述的像素驱动电路，其特征在于：所述非晶态氧化物半导体场效应晶体管为铟-镓-锌-氧簿膜晶体管。