[发明专利]像素驱动电路、放电方法、数据写入方法及驱动显示方法有效
申请号: | 200910244067.9 | 申请日: | 2009-12-28 |
公开(公告)号: | CN102110407A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 龙春平;孙力;肖田 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32;G09G3/20 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 驱动 电路 放电 方法 数据 写入 显示 | ||
技术领域
本发明实施例涉及有机发光二极管的驱动领域,尤其涉及像素驱动电路、放电方法、数据写入方法及驱动显示方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称:OLED)显示技术与传统的液晶显示器(Liquid Crystal Display,简称:LCD)显示方式不同,它无需背光灯,而采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,当有电流通过时,这些有机材料就会发光,以实现显示功能。其中,有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode,简称:AMOLED)的每个像素配备具有开关功能的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,简称:TFT),在TFT的驱动下点亮各个像素。AMOLED中使用的TFT的结构与传统LCD中的TFT结构并不相同,这是因为LCD采用电压驱动,而AMOLED采用电流驱动,其像素亮度与电流量成正比。
现有的像素驱动电路具有如图1所示的结构。如图所示,该驱动电路包括一个开关场效应晶体管14、充电场效应晶体管15、隔断场效应晶体管16、驱动场效应晶体管17、存储电容18、扫描线12、数据线13、电源(Vdd)、接地极(Vss)、用于控制隔断场效应晶体管16的选择信号线19、和OLED11。该驱动电路的工作原理简要说明如下:
当扫描线12提供一个高电平时,同时打开了开关场效应晶体管14和充电场效应晶体管15;数据线13的数据信号电流此时流过开关场效应晶体管14和充电场效应晶体管15;流过充电场效应晶体管15的数据信号电流给存储电容18充电,使得驱动场效应晶体管17的栅极和源极之间的栅源压差(Vgs)升高;当Vgs超过驱动场效应晶体管17的阈值电压以后,通过开关场效应晶体管14的数据信号电流有一部分分流通过驱动场效应晶体管17;此时选择信号线19提供低电平,使得隔断场效应晶体管16处于关闭状态,保证分流的数据信号电流只会通过驱动场效应晶体管17,而不受其它电路元件或信号的影响;存储电容18充电直到驱动场效应晶体管17的Vgs达到一定值,使得驱动场效应晶体管17工作在电流饱和区,驱动场效应晶体管17的Vgs使得数据信号电流完全通过驱动场效应晶体管17;这时选择信号线19打开隔断场效应晶体管16,数据信号电流被完全复制为驱动信号电流,提供给OLED11发光显示。
现有的像素驱动电路的设计目的是为了通过提供复制的数据信号电流作为驱动信号电流来驱动OLED11发光,以补偿非晶硅TFT的阈值电压漂移。
在实现本发明过程中,发明人发现现有技术中至少存在如下问题:现有的像素驱动电路是一种4T1C结构,即:四个晶体管和一个电容的结构。现有像素驱动电路中的OLED的驱动电流是提供的信号电流,与驱动场效应晶体管的阈值电压无关。然而,该像素驱动电路在电源极和OLED的工作线路上,使用了两个串联的晶体管,即:隔断场效应晶体管16和驱动场效应晶体管17,这两个晶体管的工作电压增加了电源负载,使得像素驱动电路的功耗增大;并且,由于需要使用额外的选择信号线19控制隔断晶体管16,因此,增加了电路设计和阵列设计的复杂性,有可能会降低良率。对于底部发光的AMOLED显示器而言,由于晶体管的数据较多,而晶体管本身不透光,因此,4T1C的像素驱动电路也不利于高解析度显示器的制作。
发明内容
本发明实施例提供像素驱动电路、放电方法、数据写入方法及驱动显示方法,用以减少电源负载、降低功耗,且结构简单。
本发明实施例提供一种像素驱动电路,包括扫描线、数据线、用于连接电源极的电源线、用于连接接地极的接地线以及有机发光二极管器件,其中还包括:电容充电场效应晶体管、数据信号场效应晶体管、发光驱动场效应晶体管和数据存储电容;
所述电容充电场效应晶体管的栅极和数据信号场效应晶体管的栅极相连,且均连接所述扫描线;
所述电容充电场效应晶体管的漏极和数据信号场效应晶体管的漏极分别连接所述数据线;
所述电容充电场效应晶体管的源极连接所述数据存储电容的高电位端及所述发光驱动场效应晶体管的栅极;
所述数据信号场效应晶体管的源极连接所述电源线;
所述发光驱动场效应晶体管的漏极连接所述电源线,源极连接所述接地线及所述数据存储电容的低电位端;
所述有机发光二极管器件位于所述接地线上,该有机发光二极管器件的阳极连接所述数据存储电容与所述接地线的连接点,阴极连接所述接地极。
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