[发明专利]用于磁制冷的稀土-铜-硅材料及其制备方法

权利要求书

1.一种用于磁制冷的稀土-铜-硅材料，该稀土-铜-硅材料为以下通式的化合物：RCuSi，其中R为Ho、Er、Dy、Tb或Gd。

2.根据权利要求1所述的用于磁制冷的稀土-铜-硅材料，其特征在于，所述稀土-铜-硅材料具有Ni₂In型六角晶体结构。

3.一种用于磁制冷的稀土-铜-硅材料的制备方法，包括以下步骤：

步骤1)：按RCuSi化学式称料，将R及Cu、Si原料混合，其中R过量添加2％至4％的原子百分比，式中R为Ho、Er、Dy、Tb或Gd；

步骤2)：将步骤1)配置好的原料放入电弧炉或感应加热炉中，抽真空至3×10^-3Pa以上，用高纯氩清洗并熔炼，熔炼温度在1500℃以上；

步骤3)：将步骤2)熔炼好的料真空退火处理，之后取出快速冷却。

4.根据权利要求3所述的用于磁制冷的稀土-铜-硅材料的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中抽真空至2×10^-3至3×10^-3Pa之间。

5.根据权利要求3所述的用于磁制冷的稀土-铜-硅材料的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中的熔炼温度介于1500℃-1700℃之间。

6.根据权利要求3所述的用于磁制冷的稀土-铜-硅材料的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中在800℃-1000℃的温度范围内真空退火。

7.根据权利要求6所述的用于磁制冷的稀土-铜-硅材料的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中真空退火5至14天。

8.根据权利要求3所述的用于磁制冷的稀土-铜-硅材料的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中的快速冷却为淬入液氮或冰水中。

9.一种采用权利要求3至8中任一项所述方法制备的稀土-铜-硅材料。