[发明专利]铝互连线结构和形成铝互连线结构的方法有效
| 申请号： | 200910246101.6 | 申请日： | 2009-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102082115A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 薛浩;任小兵;蒋昆坤;王吉伟;任华 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 | ||
1.一种形成铝互连线结构的方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上依次形成下层阻挡层、铝层和上层阻挡层；
过刻蚀所述上层阻挡层，暴露出部分铝层；
在所述暴露出的铝层侧壁形成钝化层；
继续刻蚀所述铝层并刻蚀下层阻挡层，形成铝互连线结构。
2.如权利要求1所述的形成铝互连线结构的方法，其特征在于，在所述暴露出的铝层侧壁形成钝化层步骤包括：利用含氟有机气体对所述暴露出的铝层侧壁进行预处理，在所述暴露出的铝层侧壁形成氟化铝钝化层。
3.如权利要求2所述的形成铝互连线结构的方法，其特征在于，所述含氟有机气体选自四氟甲烷、三氟甲烷、二氟甲烷以及一氟甲烷的其中一种或者其组合。
4.如权利要求1～3任一项所述的形成铝互连线结构的方法，其特征在于，所述下层阻挡层为钛层、氮化钛层或者钛层和氮化钛层的复合结构。
5.如权利要求1～3任一项所述的形成铝互连线结构的方法，其特征在于，所述上层阻挡层为钛层、氮化钛层或者钛层和氮化钛层的复合结构。
6.一种铝互连线结构，包括下层阻挡层，位于所述下层阻挡层上的铝互连线，以及位于所述铝互连线上的上层阻挡层；其特征在于，在邻近上层阻挡层的部分铝互连线的侧壁形成有钝化层。
7.如权利要求6所述的铝互连线结构，其特征在于，所述钝化层为氟化铝。
8.如权利要求6或7所述的铝互连线结构，其特征在于，所述下层阻挡层为钛层、氮化钛层或者钛层和氮化钛层的复合结构。
9.如权利要求6或7所述的铝互连线结构，其特征在于，所述上层阻挡层为钛层、氮化钛层或者钛层和氮化钛层的复合结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
