[发明专利]半导体集成电路

权利要求书

1.一种半导体集成电路，包括：

被保护电路；以及

保护元件，与所述被保护电路在同一半导体衬底上形成， 并且适于保护所述被保护电路，其中

所述保护元件包括两个二极管，它们的阳极连接在一起 以形成浮动节点并且两个阴极连接至所述被保护电路，

所述两个二极管在所述半导体衬底的阱中阱结构中形 成，并且

所述阱中阱结构包括：

P型阱，形成浮栅，

N型阱，通过衬底深部侧围绕所述P型阱的除了在 衬底前侧之外的表面，以形成所述二极管中的一个的阴 极，以及

第一N型区域，在所述P型阱中形成，从而形成另 一个所述二极管的阴极。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中

所述N型阱和所述第一N型区域中的一个连接到所述被 保护电路的信号配线，

所述N型阱和所述第一N型区域中的另一个连接至连接 到所述被保护电路的另一条配线，以及

所述P型阱不连接到经由绝缘层压在所述半导体衬底上 的多条配线中的任意一条。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中

第二N型区域在所述P型阱中与所述第一N型区域间隔 一段距离形成，

所述第二N型区域电连接到所述N型阱以形成由所述第 二N型区域、所述P型阱和所述第一N型区域构成的横向晶 体管的衬底内结构。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其中

栅电极经由栅绝缘膜与彼此相隔一段距离的所述第一和 第二N型区域之间的P型阱部分相对形成，并且

如同所述第二N型区域一样，所述栅电极电连接到所述 N型阱。

5.根据权利要求1所述的半导体集成电路，包括：

用于互补金属绝缘体半导体晶体管电路的阱中阱结构， 在所述半导体衬底中形成，其中

在其中形成了所述两个二极管的所述阱中阱结构在沿着 衬底深度方向的结构与所述用于互补金属绝缘体半导体晶体 管电路的阱中阱结构相同。

6.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其中

互补金属绝缘体半导体晶体管电路在所述半导体衬底中 形成，以及

所述第一和第二N型区域沿着衬底深度方向的结构与包 含在所述互补金属绝缘体半导体晶体管电路中的N型金属绝 缘体半导体晶体管的源极和漏极区域的沿着衬底深度方向的 结构相同。

7.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其中

具有矩形二维图案的所述第一N型区域和具有相同二维 图案的所述第二N型区域以给定距离沿着短边的宽度方向以 重复的方式在所述P型阱中彼此平行地交替配置。

8.一种半导体集成电路，包括：

信号输入端子，向其施加输入信号；

在电源电压和参考电压的电压供给端子中的至少一个与 所述输入端子之间连接至少一个保护元件；以及

被保护电路，经由耦合电容连接到所述输入端，其中 所述被保护电路和所述保护元件在同一半导体衬底上形 成，

所述保护元件包括两个二极管，它们的阳极连接在一起 以形成浮动节点并且两个阴极连接至所述被保护电路， 所述两个二极管在所述半导体衬底的阱中阱结构中形 成，并且

所述阱中阱结构包括

P型阱，形成浮栅，

N型阱，通过衬底深部侧围绕所述P型阱的除了在 衬底前侧之外的表面，以形成所述二极管中的一个的阴 极，以及

第一N型区域，在所述P型阱中形成，以形成另一 个所述二极管的阴极。