[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，其包括：

多个化合物半导体层，其包括第一导电半导体层；在所述第一导电 半导体层上的有源层；和在所述有源层上的第二导电半导体层；

在所述多个化合物半导体层之下的电极；

在所述多个化合物半导体层上的电极部分；

防弯曲构件，其包括在所述多个化合物半导体层上的图案；和

沟道层，其包括在所述第二导电半导体层上部外周的连续图案，

其中所述电极部分包括在所述多个化合物半导体层上的电极层和 在所述电极层上的导电支撑构件；和

所述防弯曲构件布置在所述电极层和所述导电支撑构件之间。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述电极层在所述沟 道层上延伸。

3.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中所述防弯曲构件包 括氮化物基绝缘材料或氧化物基绝缘材料。

4.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中所述防弯曲构件包 括多个包含绝缘材料的第一防弯曲图案；和与所述电极相对应的第二防弯 曲图案。

5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中所述第二防弯曲图案由 熔点高于所述电极部分的材料的熔点的金属形成。

6.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中所述防弯曲构件包 括选自SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃、TiO₂、SiO_x、SiN_x2、SiN_x和SiO_xN_y中的至少 一种。

7.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中所述防弯曲构件包 括选自条状、锯齿状、其中多个图案至少交叉一次的形状、点阵状和格子 状的图案中的至少一种。

8.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中所述防弯曲构件包 含选自W和Mo中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其中所述防弯曲构件的厚度 为1μm至10μm。

10.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，包括：

其中所述沟道层包括选自SiO₂、SiO_x、SiO_xN_y、Si₃N₄、Al₂O₃、TiO₂、 铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟 铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、 铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrO_x、 RuO_x、RuO_x/ITO、Ni/IrO_x/Au和Ni/IrO_x/Au/ITO中的至少一种。

11.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中所述导电支撑构 件包括选自铜(Cu)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)、铜-钨(Cu-W)和 载具晶圆中的至少一种。

12.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其中所述第二防弯曲图案 包括选自W和Mo中的至少一种。