[发明专利]半导体发光器件

说明书

相关申请

本申请根据35U.S.C.119要求韩国专利申请10-2008-0117580(2008 年11月25日提交)的优先权；该专利申请通过引用全文并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体发光器件。

背景技术

第III-V族氮化物半导体由于其极好的物理和化学特性而作为发 光器件例如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)等的芯材料受到 关注。第III-V族氮化物半导体包括具有式In_xAl_yGa_1-x-yN(其中0≤x ≤1，0≤y≤1和0≤x+y≤1)的半导体材料。

发光二极管(LED)是一种利用化合物半导体的特性将电转化成红 外线或光以发送和接收信号或用作光源的半导体器件。

由这些半导体材料制成的LED或LD广泛用于发光器件以获得光， 并且用作用于各种产品如移动电话的键盘发光二极管、电告示板和照明 设备的光源。

发明内容

实施方案提供一种半导体发光器件，其包括在发光结构上的电极部 分内的防弯曲构件。

实施方案提供一种通过使用利用多个图案的防弯曲构件防止多个 半导体层弯曲的半导体发光器件。

实施方案提供一种利用与发光结构上的电极和防弯曲构件相对应 的高熔点金属图案改善弯曲问题的半导体发光器件。

一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括：多个化合物半导体 层，其包括第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层； 和在所述有源层上的第二导电半导体层；在所述多个化合物半导体层之 下的电极；在所述多个化合物半导体层上的电极部分；和防弯曲构件， 其包括在所述多个化合物半导体层上的图案。

一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括：多个化合物半导体 层，其包括第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层； 和在所述有源层上的第二导电半导体层；在所述多个化合物半导体层之 下的电极；在所述多个化合物半导体层上的反射电极层；在所述反射电 极层上的导电支撑构件；包括在所述反射电极层和所述导电支撑构件之 间的图案的第一防弯曲构件；和设置在所述多个化合物半导体层的外周 部分上的沟道层。

一个或更多个实施方案的细节在附图和下文的说明中阐述。从说明 书和附图以及权利要求，其它特征将变得明显。

附图说明

图1是根据第一实施方案的半导体发光器件的侧截面图。

图2～5是示出根据第一实施方案的防弯曲构件的图案实例的图。

图6～12是示出制造图1中的半导体发光器件的方法的图。

图13是根据第二实施方案的半导体发光器件的侧截面图。

图14是根据第三实施方案的半导体发光器件的侧截面图。

图15是根据第四实施方案的半导体发光器件的侧截面图。

图16是根据第五实施方案的半导体发光器件的侧截面图。

图17是根据第六实施方案的半导体发光器件的侧截面图。

具体实施方式

现在将详细描述本公开内容的一些实施方案，其实例在附图中示出。 在实施方案的说明中，各层的“上”或“下”可以参照附图来描述，各层 的厚度也是作为例子来描述并不限于附图中的厚度。

在一些实施方案的说明中，将会理解，当层(或膜)、区域、图案或结 构称为在另一衬底、层(或膜)、区域、极板或图案的“上”或“下”时， 所述“上”和“下”包括“直接”和“间接”的所有含义。

图1是根据第一实施方案的半导体发光器件的侧截面图。

参照图1～2，半导体发光器件100包括第一导电半导体层110、有源 层120、第二导电半导体层130、沟道层140、电极层150、防弯曲构件160、 导电支撑构件170和电极115。

发光器件100包括利用多个化合物半导体层如第III-V族化合物半导 体的LED，LED可以为发蓝光、绿光或红光的有色LED或UV LED。从 LED发出的光可以在实施方案的技术范围内以多种方式实现。

所述多个化合物半导体层包括第一导电半导体层110、有源层120和 第二导电半导体层130。