[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体元件的方法，包括以下步骤：

提供具有主表面的半导体材料；

在所述半导体材料中形成至少一个槽，所述至少一个槽具有底和侧壁；以及

在所述至少一个槽之上以及横向地邻近述至少一个槽形成至少一个自对准着落垫。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成至少一个自对准着落垫的步骤包括：

在所述主表面之上形成第一层电介质材料；

在所述第一层电介质材料之上形成第二层电介质材料；

在所述第二层电介质材料之上形成第三层电介质材料；且其中

在所述半导体材料中形成至少一个槽的步骤包括：形成通过所述第一层电介质材料、所述第二层电介质材料和所述第三层电介质材料的开口；且还包括：

去除所述第二层电介质材料的一部分，所述第二层电介质材料的该一部分由延伸通过所述第一层电介质材料、所述第二层电介质材料和所述第三层电介质材料的所述开口暴露，以形成横向地延伸进入所述第二层电介质材料的腔。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述第一层电介质材料、所述第二层电介质材料和所述第三层电介质材料分别是氧化物、氮化物和氧化物。

4.如权利要求2所述的方法，其中，去除所述第二层电介质材料的一部分的步骤包括：用湿法刻蚀剂来去除所述第二层电介质材料的所述一部分；且还包括：

在所述至少一个槽和横向地延伸进入所述第二层电介质材料的所述腔中形成导电材料。

5.如权利要求1所述的方法，还包括：沿着所述至少一个槽的侧壁形成侧壁间隔体。

6.一种用于制造半导体元件的方法，包括：

提供具有主表面的半导体材料；

在所述主表面之上形成第一层材料；

在所述第一层材料之上形成第二层材料；

在所述第二层材料之上形成第三层材料；

形成开口，所述开口暴露所述半导体材料的一部分；

在所述半导体材料中形成槽，所述槽从所述主表面延伸到所述半导体材料和侧壁中；

在第二材料中形成腔，所述腔从所述开口横向地延伸到所述第二材料中；以及

在所述槽和所述腔中形成导电材料。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述第一层材料和所述第二层材料是氧化物，而所述第二层材料是氮化物。

8.如权利要求6所述的方法，其中，形成腔的步骤包括：使用湿法刻蚀剂来形成所述腔。

9.一种半导体元件，包括：

半导体材料，其具有主表面；

电介质材料层，其在所述主表面之上；

槽，其延伸到所述半导体材料中；

导电槽填充材料，其在所述槽内；以及

自对准着落垫，其在所述电介质材料层的一部分和所述导电槽填充材料之上。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中，所述自对准着落垫包括所述导电槽填充材料；且还包括：

电介质间隔体，其沿着所述槽的侧壁，所述电介质间隔体在所述槽的侧壁和所述导电槽填充材料之间。