[发明专利]一种集成电路的筛选方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路的筛选方法；尤其涉及一种利用红外光热感应原理将由晶体管组成的集成电路的次品从半导体工艺中的晶圆阶段及封装阶段中筛选出来的方法。

背景技术

手持电话的关键电子元件之一是射频功率放大器，射频功率放大器通常由数十个晶体管以并联方式配置成一个大型晶体管单元数组，以提升其输出功率。目前，这样的大型晶体管单元数组的集成电路通常会在半导体制程中的晶圆阶段及封装阶段利用在线检视以及直流电子探针测试的方法来进行测试，以找出次品。然而，这两种方法在实际使用上存在如下缺点：就线上检视而言，由于只能检视出结构上的缺陷且检视速度较慢，因此不适于整个晶圆的大尺寸装置的检测；就直流电子探针测试而言，在所检测的集成电路是由多数电子元件(例如晶体管)并联而成的情况下，例如上述的射频功率放大器，由于探针无法将直流放大率漂移与电子元件(例如晶体管)的失效或开路进行区别，因而经常会误判为正常，这种误判的结果在短时间内虽不至于让集成电路完全损坏，然而，长时间下来却会缩短装置的生命周期而降低其可靠度。因此，仅利用上述线上检视及直流电子探针测试方法实无法有效及彻底的侦测出次品。

为此，本发明旨在提出一种集成电路的筛选方法，以有效地在晶圆阶段中及封装阶段中检视出集成电路中己提前损坏的电子元件。

发明内容

为解决上述问题，本发明的主要目的在于提供一种集成电路的筛选方法，可在晶圆阶段中及封装阶段中将次品筛选出来。

本发明的另一目的在于提供一种集成电路的筛选方法，可在自动化探测平台上进行，以在晶圆阶段中及封装阶段中将次品筛选出来。

本发明的再一目的在于提供一种集成电路的筛选方法，可检测出射频功率放大电路中的不良晶体管，且可对该射频功率放大电路的电路设计进行纠错。

为达到上述目的，在本发明提供了一种集成电路的筛选方法，可以对由晶圆上多个晶体管并联组成的集成电路进行检测，包含下列步骤：施加一个偏压至这些晶体管：及撷取这些晶体管的红外光影像。在施加该偏压至这些晶体管之前，该晶圆被置放于备有一个探针夹具的自动化探测平台上，该探针夹具用以固定至少一个探针，且施加该偏压至这些晶体管是通过该至少一个探针从一个电源供应器导入直流电来实现的。另外，撷取这些晶体管的红外光影像是通过一个红外光影像摄影装置，例如一个备有黑白电荷耦合装置摄影机的显微镜，及一个微处理器，例如一台计算机，来实现的。

本发明的集成电路的筛选方法还可用来实现射频集成电路在设计阶段中的除错，也就是说，以施加射频信号来替代上述施加偏压的步骤，让各个正常元件能辐射出红外光，然后，利用上述检测装置来追踪射频信号在复杂电路中的信号传输情形。

本发明的优点在于检测速度快、自动化而且检测准确度高。

附图说明

图1表示在本发明的一个实施例中实现集成电路的次品检测方法的检测装置架构；

图2是显示本发明的一个实施例中集成电路的筛选方法步骤的流程图；

图3显示在一个实施例中通过一个备有电荷耦合装置摄影机的显微镜，由计算机所撷取到的晶圆上一个集成电路的影像。

具体实施方式

以下，用实施例结合附图对本发明作更详细的描述。这些实施例仅仅是对本发明最佳实施方式的描述，并不对本发明的范围有任何限制。

实施例1

如前所述，手持电话中的射频功率放大器是由数十个晶体管以并联方式所配置而成的大型晶体管单元数组，这些晶体管主要为硅双极晶体管、镓砷金属一半导体场效晶体管及镓砷异质连接型双极晶体管，其中当镓砷异质连接型双极晶体管被通以电流时，其基极区会有辐射复合的现象，也就是说，会发射出红外光。因此，本发明通过红外光影像显示装置来对集成电路进行检测，以搜寻出集成电路中的次品。

图1表示在本发明的一个实施例中实现集成电路的次品检测方法的检测装置架构。如图1所示，实现本发明的集成电路的次品检测方法的检测装置100包含一个电荷耦合装置摄影机10、一个显微镜20、一个安装有影像辨识软件的微处理器(计算机30、一个电源供应器40及一个自动探测平台50。自动探测平台50上装设有探针固定器60，其上备有探针70，各个装置元件的相对位置如图1所示。另外，通过这一集成电路检测装置100来检测次品的检测步骤如图2的流程图所示，详述如下。