[发明专利]一种保护掩膜板的方法

权利要求书

1.一种保护掩膜板的方法，所述掩膜板包括：

衬底；

铬层，位于所述衬底上；

其特征在于所述方法包括以下步骤：

对所述铬层进行等离子氧化处理；

在所述铬层和所述衬底上淀积保护膜；

使用硬掩膜将所述铬层密封。

2.根据权利要求1所述的一种保护掩膜板的方法，其特征在于所述硬掩膜在充满惰性气体的环境中将所述铬层密封。

3.根据权利要求2所述的一种保护掩膜板的方法，其特征在于所述惰性气体为氦气、氖气、氩气、氪气或氙气。

4.根据权利要求1所述的一种保护掩膜板的方法，其特征在于所述等离子氧化的时间为50秒至500秒，气压为5托至50托，功率为100w至500w，温度为150摄氏度至400摄氏度。

5.根据权利要求4所述的一种保护掩膜板的方法，其特征在于所述等离子氧化的时间为100秒，气压为10托，功率100w，温度为200摄氏度。

6.根据权利要求1所述的一种保护掩膜板的方法，其特征在于所述保护膜的材料为石英、熔硅玻璃或硼磷玻璃。

7.根据权利要求1或6所述的一种保护掩膜板的方法，其特征在于所述保护膜的厚度范围为10埃至500微米。

8.根据权利要求7所述的一种保护掩膜板的方法，其特征在于所述保护膜的厚度为1微米。

9.根据权利要求1所述的一种保护掩膜板的方法，其特征在于所述硬掩膜的材料为石英、熔硅玻璃或硼磷玻璃。

10.根据权利要求1或9所述的一种保护掩膜板的方法，其特征在于所述硬掩膜的厚度范围为10埃至500微米。

11.根据权利要求10所述的一种保护掩膜板的方法，其特征在于所述硬掩膜的厚度为1微米。