[发明专利]移相掩膜板的制造方法及其结构有效
申请号: | 200910247877.X | 申请日: | 2009-12-31 |
公开(公告)号: | CN101770161A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 朱骏 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/14 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203上海市张江高科*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移相掩膜板 制造 方法 及其 结构 | ||
1.一种移相掩膜板的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
在衬底上依次生长移相消光层、刻蚀保护层和金属层,所述金属层中的 金属为铬;
在所述金属层上涂布第一光刻胶,刻蚀对应于所述第一光刻胶曝光区域 的金属层;
涂布第二光刻胶,所述第二光刻胶位于所述第一光刻胶曝光区域所对应 的部分刻蚀保护层上,且一部分所述第二光刻胶紧邻所述金属层,刻蚀所述 刻蚀保护层和所述移相消光层;
去除所述第一光刻胶和所述第二光刻胶,分别暴露出所述第一光刻胶未 曝光区域所保护的金属层以及位于所述第一光刻胶曝光区域中的第二光刻胶 所保护的刻蚀保护层。
2.根据权利要求1所述的移相掩膜板的制造方法,其特征在于所述刻蚀 保护层的材料为石英或硼磷玻璃。
3.根据权利要求1或2所述的移相掩膜板的制造方法,其特征在于所述 刻蚀保护层的厚度范围为10埃至500微米。
4.根据权利要求3所述的移相掩膜板的制造方法,其特征在于所述刻蚀 保护层的厚度为1微米。
5.根据权利要求1所述的移相掩膜板的制造方法,其特征在于刻蚀所述 金属层采用干法刻蚀。
6.根据权利要求1所述的移相掩膜板的制造方法,其特征在于刻蚀所述 移相消光层采用干法刻蚀。
7.根据权利要求1所述的移相掩膜板的制造方法,其特征在于在刻蚀所 述金属层后,对剩余的所述金属层进行清洗。
8.根据权利要求1所述的移相掩膜板的制造方法,其特征在于在刻蚀所 述移相消光层后,对剩余的所述移相消光层进行清洗。
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