[发明专利]常压等离子体自由基束流清洗硅片新方法

权利要求书

1.一种常压等离子体自由基束流清洗硅片新方法，其特征在于：该新方法是采用一个常压介质阻挡等离子体发生器，工作气体可以采用氧气、氧/氩混合气体或空气来产生高密度的自由基，并在一定气体压力下把放电等离子体区产生的高密度自由基由喷口向外喷出，在硅片衬底被加热到一定温度时，喷射到硅片上的高密度自由基束流与硅片上的光刻胶反应生成CO₂和H₂O等反应副产物，该反应副产物经由排气罩的管道排出；该高密度的自由基束流还也可以用来去除其它材料表面的有机物和改善表面的亲水性能。

2.如权利要求1所述的一种常压等离子体自由基束流清洗硅片新方法，其特征在于：所采用的自由基束流是由介质阻挡的等离子体放电产生的，是由等离子体发生器喷口喷出的不含电子、离子和其它发光成份的自由基束流。

3.如权利要求1所述的一种常压等离子体自由基束流清洗硅片新方法，其特征在于：等离子体放电区所产生的自由基是由高压气流携带喷出的。

4.如权利要求1所述的一种常压等离子体自由基束流清洗硅片新方法，其特征在于：该放电等离子体是采用氧气、氧/氩混合气体，或是采用空气作为放电工作气体。

5.如权利要求1所述的一种常压等离子体自由基束流清洗硅片新方法，其特征在于：硅片衬底的温度是可以被加热到200℃的范围内。

6.如权利要求1所述的一种常压等离子体自由基束流清洗硅片新方法，其特征在于：高密度自由基束流与光刻胶反应生成CO₂和H₂O等反应副产物，该反应副产物经由排气罩的管道排出。