[发明专利]制造光电转换器件的方法

权利要求书

1.一种制造光电转换器件的方法，该光电转换器件包括：

第一导电类型的第一半导体区；

第二导电类型的第二半导体区，用于与第一半导体区的一部分一 起形成光电转换元件；

传输栅电极，将在光电转换元件中产生的电荷转移到第二导电类 型的第三半导体区；

元件隔离区，用于将光电转换元件与同光电转换元件相邻的晶体 管电隔离；

第二导电类型的第四半导体区，被布置成将元件隔离区夹在第四 半导体区和第二半导体区之间，以使得第四半导体区形成同光电转换 元件相邻的晶体管的源极或漏极；以及

布置在元件隔离区上用于将电压施加到传输栅电极的布线，

其中，所述方法包括：

第一步骤，形成所述传输栅电极、所述布线以及同光电转换元件 相邻的晶体管的栅电极；

第二步骤，在第一半导体区中形成第二半导体区和第三半导体 区；

第三步骤，形成绝缘薄膜，该绝缘薄膜覆盖第二半导体区、所述 布线、整个的元件隔离区、通过元件隔离区与光电转换元件相邻的活 性区的一部分；以及

第四步骤，通过以所述绝缘薄膜作为掩模将第二导电类型的杂质 离子注入到所述活性区的一部分，以形成第四半导体区，以使得第四 半导体区域与元件隔离区域分离开。

2.根据权利要求1所述的制造光电转换器件的方法，还包括：

第五步骤，形成覆盖所述绝缘薄膜的层间绝缘薄膜，以及在层间 绝缘薄膜中形成与第四半导体区对应的用于接触的开口。

3.根据权利要求1所述的制造光电转换器件的方法，其中：

在第二步骤期间，至少在所述活性区的一部分上形成第二导电类 型的第五半导体区；以及

在第四步骤期间，将栅电极的侧壁用作掩模来执行离子注入以形 成第四半导体区，从而使得第四半导体区的杂质浓度高于第五半导体 区的杂质浓度。

4.根据权利要求1所述的制造光电转换器件的方法，其中：

在第三步骤期间，所述绝缘薄膜在同光电转换元件相邻的晶体管 的栅电极处形成侧壁。

5.根据权利要求1所述的制造光电转换器件的方法，其中：

在第二步骤期间，由多晶硅形成所述传输栅电极、所述布线和同 光电转换元件相邻的晶体管的栅电极。

6.根据权利要求1所述的制造光电转换器件的方法，其中：

在第三步骤期间，所述绝缘薄膜是氧化物薄膜。

7.根据权利要求1所述的制造光电转换器件的方法，其中：

在第四步骤期间，所述第二导电类型的杂质包括砷。

8.根据权利要求3所述的制造光电转换器件的方法，其中：

在第四步骤期间，所述第二导电类型的杂质是砷。

9.根据权利要求1所述的制造光电转换器件的方法，其中：

还将所述绝缘薄膜布置在光电转换元件上。

10.根据权利要求3所述的制造光电转换器件的方法，其中：

还将所述绝缘薄膜布置在光电转换元件上。

11.根据权利要求6所述的制造光电转换器件的方法，其中：

在第三步骤之前形成氮化物薄膜。