[发明专利]制造光电转换器件的方法

说明书

本专利申请是优先权日为2006年7月10日、申请号为 200710128400.0、发明名称为“光电转换器件和具有光电转换器件的 摄像系统”的发明专利申请的分案申请，其在此全部引入作为参考。

技术领域

本发明涉及一种光电转换器件以及一种制造光电转换器 件和具有该光电转换器件的摄像系统的方法。

背景技术

在图像输入设备例如数字照相机、摄影机和图像阅读器 以及用于其中的焦点检测设备中，使用包括光电转换元件的多个像素 排列于其中的光电转换器件。这里光电转换器件包括例如所谓CCD 型、双极晶体管型、电场效应晶体管型以及MOS型的光电转换器 件。这里光电转换器件易于增加像素。随着像素面积减小，光电转换 元件的面积趋向于减小。因此，处理更小电荷的必要性已经出现并且 减小噪声的必要性已经出现。

日本专利申请公开2003-258229和2005-142503包括关于 MOS型光电转换器件中的噪声的公开内容。日本专利申请公开 2003-258229包括关于因MOS型光电转换器件的通道停止区中少数 载流子的增加而产生的噪声的公开内容。

另外，日本专利申请公开2005-142503包括关于因通道停 止区中少数载流子的增加而在相邻FD区之间产生的电场引起的漏电 流的公开内容。这里，日本专利申请公开2005-142503使用通道停止 区和浮动扩散区(在下文称作FD区)的排列设计噪声的减小。

另外，日本专利申请公开2001-230409包括关于用于保持 一般半导体器件的隔离区中耐压的MOS晶体管结构的公开内容。

但是，因像素的进一步增加而引起的像素面积的减小伴 随有元件排列的更低自由度。而且，隔离区中的细度偶尔也在除了通 道停止区与FD区之间的区域之外的地点引起漏电流。另外，这里漏 电流流到光电转换元件和FD区中以引起信号噪声比的退化。

因此，考虑到上述问题，本发明的目的在于获得一种减 小在隔离区中产生的漏电流且信号噪声比提高的光电转换器件和摄像 系统。

发明内容

本发明的光电转换器件是包括下列的光电转换器件：第 一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起形成光电 转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生 的电荷转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极；将第二半导体 区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔 离区；以及布置在隔离区上用于将电压施加到栅电极的布线；其中， 杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四 半导体区和隔离区之间。

本发明的其他特征和优点将从下面结合附随附图进行的 描述中显然，其中类似的参考字符遍及所有附图指定相同或相似的部 分。

包含于说明书中并构成说明书一部分的附随附图说明本 发明的实施方案，并且与描述一起，用来说明本发明的原理。

本发明的更多特征将参考附加附图从下面实例实施方案 的描述中变得明白。

附图说明

图1是第一实施方案中的光电转换器件的示意剖面。

图2A是第二实施方案中的光电转换器件的示意剖面。

图2B是第二实施方案中的光电转换器件的示意剖面。

图2C是第二实施方案中的光电转换器件的示意剖面。

图2D是第二实施方案中的光电转换器件的示意剖面。

图3是光电转换器件的像素的一部分的示意平面图。

图4A举例说明光电转换器件的像素电路。

图4B举例说明图4A中说明的光电转换器件的驱动脉 冲。

图5说明摄像系统的实例。

具体实施方式

本发明的光电转换器件以半导体区(晶体管的源极或漏 极区)与光电转换元件相邻且隔离区位于其间的结构为特征。连接到 传输晶体管的栅电极的布线布置在该隔离区上。这种结构以这里半导 体区的隔离区一侧上具有低浓度的半导体区为特征。

本发明的构造可以减轻在隔离区的较低部中第一导电类 型的半导体区与同光电转换元件相邻的第二导电类型的半导体区之间 存在的电场，因此可以减小漏电流。因此，可以提供噪声减小且信号 噪声比提高的光电转换器件。