[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，包含：

一第一杂质类型的一基板；

一第二杂质类型的一第一阱区域，位于该基板中，该第二杂质类型不同于该第一杂质类型；

该第一杂质类型的一第二阱区域，位于该基板中；

一图案化的第一介电层，位于该基板中且延伸于该第一与该第二阱区域的上方；

一图案化的第一栅极构造，位于该图案化的第一介电层上，该图案化的第一栅极构造包含朝一第一方向延伸的一第一区段，以及朝垂直于该第一区段的一第二方向延伸的一第二区段，该第一区段与该第二区段彼此相交成一相交图案；

一图案化的第二介电层，位于该图案化的第一栅极构造上；以及

一图案化的第二栅极构造，位于该图案化的第二介电层上，该图案化的第二栅极构造包含朝该第一方向延伸于该图案化的第一栅极构造的该第一区段的上方该第一区段以及朝该第二方向延伸于该图案化的第一栅极构造的该第二区段的上方的该第二区段。

2.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其栅极耦合比率是以下述方程式表示为电容C_1N、C_1P与C₁₂的函数：

GCR=C12+C1NC12+C1N+C1P]]>

其中C_1N表示由该图案化的第一栅极构造、该第一阱区域以及该图案化的第一介电层所定义的一第一电容器的电容，C_1P表示由该图案化的第一栅极构造、该第二阱区域与图案化的第一介电层所定义的一第二电容器的电容，而C₁₂表示由该图案化的第一栅极构造、该图案化的第二栅极构造与图案化的第二介电层所定义的一第三电容器的电容。

3.如权利要求1所述的半导体存储器装置，还包含一第一对的源极/漏极区域，位于该第一阱区域中以及该图案化的第一栅极构造两侧，其中该第一对源极/漏极区域的其中一个是连接至一控制电压。

4.如权利要求1所述的半导体存储器装置，还包含一第二对的源极/漏极区域，位于该第二阱区域中，并位于该图案化的第一栅极构造的两侧。

5.如权利要求1所述的半导体存储器装置，还包含多个轻微掺杂漏极区域，位于该第二阱区域中，并位于该图案化的第一栅极构造的两侧。

6.如权利要求1所述的半导体存储器装置，还包含多个口袋区域，位于该第二阱区域中，并位于该图案化的第一栅极构造的两侧。

7.如权利要求1所述的半导体存储器装置，还包含多个热载子植入区域，位于该第二阱区域中，并位于该图案化的第一栅极构造的两侧。

8.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中该图案化的第一介电层的该第一区段，朝该第一方向延伸于该图案化的第一栅极构造的该第一区段的下方；以及

该第二区段，朝该第二方向延伸于该图案化的第一栅极构造的该第二区段的下方。

9.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中该图案化的第二介电层包含朝该第一方向延伸于该图案化的第二栅极构造的该第一区段的下方的该第一区段以及朝该第二方向延伸在该图案化的第二栅极构造的该第二区段的下方的该第二区段。