[发明专利]灯管驱动装置及位移驱动电路无效

专利信息
申请号: 200910253646.X 申请日: 2009-12-07
公开(公告)号: CN102088815A 公开(公告)日: 2011-06-08
发明(设计)人: 王政雄 申请(专利权)人: 登丰微电子股份有限公司
主分类号: H05B41/295 分类号: H05B41/295;H02M1/08
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 中国台湾台北县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 灯管 驱动 装置 位移 电路
【权利要求书】:

1.一种灯管驱动装置,包含:

一开关模组,包含串联于一输入电压源、一共同电位之间的一高端晶体管开关及一低端晶体管开关;

一控制器,用以控制该高端晶体管开关及该低端晶体管开关的切换以控制流经该开关模组的该输入电压源的电力;

一谐振模组耦接该开关模组,用以转换来自该输入电压源的电力为一交流输出信号以驱动一灯管;以及

一位准移位电路,耦接该控制器、该开关模组以及一位移参考电位压源,用以根据该高端晶体管开关及该低端晶体管开关的一连接点的电位、该位移参考电位压源及该控制器所产生的一控制信号产生一高端控制信号以控制该高端晶体管开关进行切换。

2.根据权利要求1所述的灯管驱动装置,还包含一相位调整电路,耦接于该控制器及该位准移位电路之间,用以调整该控制信号,使该高端控制信号与该控制信号之间的相位差等于一预定相位差值。

3.根据权利要求2所述的灯管驱动装置,其中该相位调整电路包含一NPN双载子接面晶体管,该NPN双载子接面晶体管的一集电极耦接该位准移位电路,一基极耦接该位移参考电位压源,一发射极接收该控制信号。

4.根据权利要求2所述的灯管驱动装置,其中该相位调整电路包含一NPN双载子接面晶体管,该NPN双载子接面晶体管的一集电极耦接该位准移位电路,一发射极耦接该共同电位,一基极接收该控制信号。

5.根据权利要求2所述的灯管驱动装置,其中该相位调整电路包含一齐纳二极管,该齐纳二极管的一负端耦接该控制器、一正端耦接该低端晶体管开关的一控制端。

6.根据权利要求1或2所述的灯管驱动装置,其中该位准移位电路包含一储能路径、一电容、一第一释能路径以及一第二释能路径,该储能路径的一第一端耦接该位移参考电位压源,该储能路径的一第二端耦接该电容的一第一端,该电容的一第二端耦接该连接点,该第一释能路径的一第一端耦接该电容的该第一端,该第一释能路径的一第二端耦接该高端晶体管开关的一控制端,该第二释能路径的一第一端耦接该高端晶体管开关的该控制端,以及该第二释能路径的一第二端耦接该连接点。

7.根据权利要求6所述的灯管驱动装置,其中该第二释能路径包含一PNP双载子接面晶体管,用以释放该高端晶体管开关的寄生电容所储存的电荷。

8.根据权利要求6所述的灯管驱动装置,还包含一低端驱动电路,接收该控制信号以产生一低端控制信号以控制该低端晶体管开关的切换,且该低端晶体管开关与该高端晶体管开关的导通时间彼此错开。

9.根据权利要求6所述的灯管驱动装置,其中该第一释能路径包含一二极管或一NPN双载子接面晶体管。

10.一种位移驱动电路,用以位移一控制信号的准位,包含:

一储能路径,该储能路径的一第一端耦接该位移参考电位压源,用以传送该位移参考电位压源的电力;

一储能元件,该储能元件的一第一端耦接该储能路径的一第二端,该储能元件的一第二端耦接一参考电位,用以储存该位移参考电位压源的电力;

一第一释能路径,该第一释能路径的一第一端耦接该储能元件的该第一端,该第一释能路径的一第二端耦接一第一晶体管开关的一控制端,用以根据该控制信号导通该第一晶体管开关;以及

一第二释能路径,该第二释能路径的一第一端耦接该第一晶体管开关的该控制端,且该第二释能路径的一第二端耦接该参考电位,用以释放该第一晶体管开关的寄生电容所储存的电荷以截止该第一晶体管开关。

11.根据权利要求10所述的位移驱动电路,还包含一相位调整电路,耦接于该第一释能路径,用以接收该控制信号以调整该控制信号的相位。

12.根据权利要求10所述的位移驱动电路,还包含一NPN双载子接面晶体管,该NPN双载子接面晶体管的一集电极耦接该第一释能路径,一基极耦接该位移参考电位压源,一发射极接收该控制信号。

13.根据权利要求10所述的位移驱动电路,还包含一NPN双载子接面晶体管,该NPN双载子接面晶体管的一集电极耦接该第一释能路径、一发射极接地以及一基极接收该控制信号。

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