[发明专利]灯管驱动装置及位移驱动电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种灯管驱动装置及位移驱动电路。

背景技术

请参见图1，图1为现有的萤光灯管驱动电路的电路示意图。镇流控制器10包含了一高端驱动电路HSD及一低端驱动电路LSD，分别通过一高端驱动脚位OUT1及一低端驱动脚位OUT2驱动开关模组40中对应的一高端P型金属氧化物半导体场效应晶体管M1及一低端N型金属氧化物半导体场效应晶体管M2。高端P型金属氧化物半导体场效应晶体管M1及低端N型金属氧化物半导体场效应晶体管M2彼此串联于一输入电压源VIN及接地之间，根据镇流控制器10的控制将输入电压源VIN的电力传递至一谐振模组30。谐振模组30包含一电感L1以及一电容C2，将输入电压源VIN的电力转换成一交流信号以驱动一灯管20。

镇流控制器10为了能确实控制高端P型金属氧化物半导体场效应晶体管M1及低端N型金属氧化物半导体场效应晶体管M2的导通与截止，高端驱动电路HSD及一低端驱动电路LSD必须同时耦接输入电压源VIN及接地。然而，灯管20的驱动电压在数百伏特，由此输入电压源VIN的电压也在数百伏特，使得镇流控制器10必须以耐高压制程制作，增加了镇流控制器10的制程难度及成本。

发明内容

鉴于现有技术中的镇流控制器的制程难度及成本较高，本发明的位移驱动电路除了提供控制信号的准位的位移，使高端的晶体管可同时使用N型金属氧化物半导体场效应晶体管外，位移驱动电路中耦合至输入电源的部分元件采用耐高压元件，即可有效隔绝输入电源的高压施加于其他元件，使控制器可以以低压制程制作而降低了制程难度及控制器及使用控制器的灯管驱动装置的成本。

为达上述目的，本发明提供了一种灯管驱动装置，包含一开关模组、一控制器、一谐振模组以及一位准移位电路。开关模组包含串联于一输入电压源及一共同电位之间的一高端晶体管开关及一低端晶体管开关。控制器是用以控制高端晶体管开关及低端晶体管开关的切换以控制流经开关模组的输入电压的电力。谐振模组耦接开关模组用以转换来自输入电压源的电力为一交流输出信号以驱动一灯管。位准移位电路耦接控制器、开关模组以及一位移参考电位压源，用以根据高端晶体管开关及低端晶体管开关的一连接点的电位、位移参考电位压源及控制器所产生的一控制信号产生一高端控制信号以控制高端晶体管开关进行切换。

本发明同时也提供了一种位移驱动电路，用以位移一控制信号的准位，包含一储能路径、一储能元件、一第一释能路径以及一第二释能路径。储能路径的一第一端耦接位移参考电位压源，用以传送位移参考电位压源的电力。储能元件的一第一端耦接储能路径的一第二端，储能元件的一第二端耦接一参考电位，用以储存位移参考电位压源的电力。第一释能路径的一第一端耦接储能元件的第一端，第一释能路径的一第二端耦接一第一晶体管开关的一控制端，用以根据控制信号导通第一晶体管开关。第二释能路径的一第一端耦接第一晶体管开关的控制端，且第二释能路径的一第二端耦接参考电位，用以释放第一晶体管开关的寄生电容所储存的电荷以截止第一晶体管开关。

以上的概述与接下来的详细说明皆为示范性质，是为了进一步说明本发明。而有关本发明的其他目的与优点，将在后续的说明与图示加以阐述。

附图说明

图1为现有的萤光灯管驱动电路的电路示意图。

图2为本发明的灯管驱动装置的电路方块图。

图3为本发明第一实施例的位移驱动电路的电路示意图。

图4为本发明第二实施例的位移驱动电路的电路示意图。

图5为图4所示实施例的信号波形图。

图6为使用本发明位移驱动电路的灯管驱动装置的电路方块图。

图7为本发明第三实施例的位移驱动电路的电路示意图。

具体实施方式

请参见图2，图2为本发明的灯管驱动装置的电路方块图。灯管驱动装置包含一控制器100、一位移驱动电路110、一谐振模组130以及一开关模组140，用以驱动一灯管120。控制器100包含一驱动电路105耦接一驱动电压VCC及一共同电位(即接地)，以根据驱动电压VCC的电位通过脚位OUT输出一控制信号Si2。位移驱动电路110包含一相位调整电路150以及一位准移位电路160。相位调整电路150耦接于位准移位电路160，并接收控制信号Si2以调整控制信号Si2的相位。开关模组140耦接一输入电压源VIN及共同电位，其包含一高端晶体管开关T1及一低端晶体管开关T2，而高端晶体管开关T1与低端晶体管开关T2串联。在本实施例中，高端晶体管开关T1与低端晶体管开关T2均为N型金属氧化物半导体场效应晶体管。