[发明专利]真空容器及制造方法、真空处理设备和电子器件制造方法有效
申请号: | 200910253751.3 | 申请日: | 2009-12-17 |
公开(公告)号: | CN101752221A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 佐佐木雅夫 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B23P15/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 容器 制造 方法 处理 设备 电子器件 | ||
1.一种真空容器,包括:
一对弯曲板构件,所述板构件通过弯曲两个金属板而形成并且相 互结合以在所述真空容器内形成封闭空间;
密封构件,所述密封构件由一个封闭曲线形成并且设置在结合部 分处以密封所述一对弯曲板构件之间的结合部分;
结构,所述结构容纳在所述封闭空间中,且设置成抵靠所述密封 构件和所述一对弯曲板构件的内表面;以及
永磁体,所述永磁体布置在所述一对弯曲板构件的大气侧的外表 面处,
其中,所述结构整个地或部分地由铁磁体形成,
所述密封构件通过由所述永磁体和所述结构的铁磁体产生的磁吸 引力而压靠所述一对弯曲板构件,
所述结合部分通过被磁吸引力压的密封构件而密封,并且
其中,所述板构件形成的封闭空间形成多面体,并且所述板构件 沿着形成所述多面体的边的折皱弯曲。
2.根据权利要求1所述的容器,其中,所述密封构件由三个表面 夹持:形成所述封闭空间的所述一对弯曲板构件的内表面和所述结构 的一个侧表面。
3.根据权利要求1所述的容器,其中,所述磁体单元与金属板成 为一体,在所述金属板中形成不少于一个的螺纹通孔,具有比所述螺 纹孔的深度更长的长度的螺钉插入所述螺纹孔中,并且所述螺纹孔的 深度的方向与所述板构件垂直。
4.根据权利要求1所述的容器,其中,所述多个磁体单元中多于 一个的磁体单元连接至所述铁磁体的轭以形成磁路。
5.根据权利要求1所述的容器,其中,所述真空容器包括覆盖所 述磁体单元的盖。
6.一种真空处理设备,包括:
处理室,所述处理室包括权利要求1至5中任一项所限定的真空 容器并且在减小压力的气氛下在所述真空容器中处理对象。
7.一种真空容器制造方法,包括:
第一步骤,弯曲两个金属板以形成一对弯曲板构件,
第二步骤,将所述一对弯曲板构件相互结合以在所述真空容器内 形成封闭空间;
第三步骤,在结合部分处设置由一个封闭曲线形成的密封构件, 以密封所述一对弯曲板构件之间的结合部分;
第四步骤,设置一结构,以抵靠所述密封构件和所述一对弯曲板 构件的内表面,其中所述密封构件设置在所述一对板构件的内表面与 所述结构的外表面之间,并且其中所述结构容纳在所述封闭空间中, 且整个地或部分地由铁磁体形成;
第五步骤,在所述一对弯曲板构件的大气侧的外表面处布置永磁 体;
第六步骤,通过由所述永磁体和所述结构的铁磁体产生的磁吸引 力使所述密封构件压靠所述一对弯曲板构件,并且通过被磁吸引力压 的密封构件来密封所述结合部分。
8.一种电子器件制造方法,包括以下步骤:
使用权利要求6中限定的真空处理设备处理对象。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造