[发明专利]真空容器及制造方法、真空处理设备和电子器件制造方法有效
申请号: | 200910253751.3 | 申请日: | 2009-12-17 |
公开(公告)号: | CN101752221A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 佐佐木雅夫 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B23P15/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 容器 制造 方法 处理 设备 电子器件 | ||
技术领域
本发明涉及一种诸如处理室或转移室的真空容器,所述真 空容器构成处理例如液晶显示器衬底和半导体晶片的真空处理设备, 本发明还涉及包括该真空容器的真空处理设备、真空容器制造方法以 及电子器件制造方法。
背景技术
在例如液晶显示器衬底和半导体晶片上的诸如薄膜形成以 及所形成薄膜的干法刻蚀和加热之类的处理主要在真空中执行。为在 真空中处理这些处理对象作准备的对准、运输以及类似处理也经常在 真空中持续地执行。为了执行这些处理,通常使用通过经由闸阀连接 多个真空容器而形成的真空处理设备(日本专利特开No. 2002-057203)。
近年来,液晶显示器衬底的尺寸日益增大。结果,甚至周 边的边长大于3米的矩形衬底也已经变得可用。为了在真空中处理这 种较大的衬底,较大的真空容器是必要的。通过切割单金属材料的内 部可以制造具有极好气密性的较小的真空容器。然而,因为难于获得 这样大的金属元件,所以不能通过上述用于制造较小真空容器的方法 来制造较大的真空容器。
在这些情况下,传统的大真空容器形成为通过以下措施来 维持气密性,即,通过在给定的焊接区中焊接多个金属板的组合来确 保给定的机械强度。
然而,以这种方式制造的真空容器不期望地是重的。另外, 所制造的真空容器由于与焊接相关联的因素而经常不期望地受到热应 变。为此,在该方法中在焊接之后必须进行二次切割。此外,较大的 焊接的真空容器经常难于运输,这是因为较大的焊接的真空容器的运 输受到例如运输车辆的可接受的重量、宽度和高度以及某些法律约束 的限制。
为了解决这些问题,经常使用两个弯曲的金属板的组合以 形成封闭空间。本发明的发明人已经考察了一种真空容器,其通过在 封闭空间中容纳坚固的结构并且由一个形成为封闭曲线的密封构件密 封金属板之间的结合部分而维持所形成的封闭空间的气密性。
本发明的发明人也已经考察了一种方法,其通过螺栓将金 属板可靠地固定到用作设置在容器内的结构的柱上以固定金属板之间 的结合部分。
图17和18分别是由本发明的发明人考察的真空容器的外 部视图和在该真空容器中的结合部分的剖视图。
如图17和18中所示,两个金属板(弯曲构件20和30)通 过诸如螺栓的紧固构件61、62和密封固定板63、64可靠地固定在用 作设置在容器内的结构的柱50上。
然而,这种固定两个金属板之间的结合部分的方法引起以 下问题。因为两个金属板通过螺栓固定在容器内的结构上,以便可靠 地挤压用作与两个金属板之间的结合部分相对应的密封构件4的O型 环,所以真空容器容易抽空但具有复杂的结构。
为了通过螺栓将用作容器壁的金属板(弯曲构件20和30) 固定到真空容器内的柱50上,必要的是在容器壁中形成孔20a和30a 以插入螺栓,并且继而必要的是通过绕孔20a和30a布置其它的O型 环65和66来维持封闭空间的气密。为此,对于两个金属板必要的是 多孔形成和密封面制造。由于随之增加了制造成本并且使真空性能的 可靠性退化,所以这是有问题的。
本发明考虑到上述背景技术的问题,并且目的在于提高形 成具有简单结构的真空容器的板构件之间的结合部分中的气密性。
发明内容
根据本发明的一个方面,提供一种真空容器,所述真空容 器包括多个板构件和密封构件,每个板构件都部分地或整个地由金属 制成,并且所述板构件相互结合以在所述板构件内形成封闭空间,所 述密封构件密封所述板构件之间的结合部分,所述真空容器包括: 结构,所述结构容纳在所述封闭空间中,抵靠所述密封构件和所 述板构件的内表面,并且整个地或部分地由铁磁体形成;以及 永磁体,所述永磁体布置在所述板构件的外表面上并且通过作用 在所述结构的铁磁体上的磁吸引力使所述板构件压靠所述密封构件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造