[发明专利]光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2008年12月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请 No.10-2008-0128684的优先权，将其公开内容全部引入本文作为参考。

技术领域

本发明的实施方式大体上涉及用于光刻胶剥离剂的组合物及薄膜晶体 管(TFT)阵列基板的制造方法。

背景技术

目前，液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示器中的一些。LCD具 有其上形成有场产生电极的两个基板、以及介于所述基板之间的液晶层。 在LCD中，向电极施加电压以使LCD的液晶分子重新排列，从而控制透射 光的量。

目前统治着LCD市场的LCD为其中两个基板具有场产生电极的LCD。 具体而言，通常所用类型的LCD具有：一个具有多个薄膜晶体管(TFT)和以 矩阵排列的像素电极的基板，以及另一个其上形成有红色、绿色和蓝色滤 色器及覆盖所述基板的整个表面的公共电极的基板。然而，在LCD中，将 所述像素电极和滤色器形成在不同基板上，从而在所述像素电极和滤色片 之间可出现未对准(misalignment)。为了克服该缺点，已经提出了在同一基 板上形成有滤色片和像素电极的阵列上滤色片(CoA)型LCD。

在CoA型LCD中，在形成滤色片之后形成薄膜例如像素电极。此处， 滤色片暴露于用于将薄膜例如像素电极图案化的光刻胶剥离剂。通常，由 有机材料制成的光刻胶剥离剂具有高的溶解(melting)滤色片的能力。因此， 可导致滤色片中与光刻胶剥离剂接触的部分溶胀。在此情况下，滤色片可 具有不平坦的表面，从而使滤色片与上覆盖该滤色片的另一薄膜之间的粘 附性恶化，这可导致该上覆盖的薄膜松散或者破裂。此外，可存在填充有 液晶的部分的厚度根据位置而变化，导致显示质量的恶化。因此，期望开 发能够将光刻胶剥离而不对在下面的膜造成损伤的剥离剂。

发明内容

本发明的实施方式提供用于光刻胶剥离剂的组合物，其可在剥离光刻 胶时防止在下面的膜受到损伤。

本发明的实施方式还提供使用所述用于光刻胶剥离剂的组合物制造薄 膜晶体管(TFT)阵列基板的方法。

本公开内容的以上和其它目的将描述在以下一个或多个实施方式的描 述中或从其明晰。

根据本发明的一个实施方式，提供用于光刻胶剥离剂的组合物，包括 5-30重量％的链状胺化合物、0.5-10重量％的环状胺化合物、10-80重量％ 的二醇醚化合物、5-30重量％的蒸馏水、和0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。

根据本发明的另一实施方式，提供制造薄膜晶体管阵列基板的方法， 所述方法包括：在基板的像素区域上形成包含栅电极、源电极和漏电极的 薄膜晶体管(TFT)，在所述TFT上形成钝化层，和在所述钝化层上形成与所 述漏电极连接的像素电极，其中，当在各步骤中使用光刻胶图案时，所述 光刻胶图案通过光刻胶剥离剂剥离，用于所述光刻胶剥离剂的组合物包括 5-30重量％的链状胺化合物、0.5-10重量％的环状胺化合物、10-80重量％ 的二醇醚化合物、5-30重量％的蒸馏水和0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。

附图说明

通过参照附图详细地描述本公开内容的一个或多个实施方式，本公开 内容的以上和其它特征和优点将变得更加明晰，其中：

图1A为根据本发明示例性实施方式的TFT阵列基板的设计图；

图1B为在根据实施方式的图1中所示的“A”部分的放大的设计图；

图2为根据实施方式的示于图1B中的TFT阵列基板沿线I-I’所取的截 面图；

图3A-图3H为顺序说明根据本发明示例性实施方式制造TFT阵列基板 的截面图。

具体实施方式

通过参照一个或多个实施方式的以下具体描述和附图，本公开内容的 优点和特征以及实现本公开内容的方法可更易理解。然而，本公开内容可 以许多不同的形式体现并且不应解释为限于本文中所阐述的实施方式。相 反，提供这些实施方式使得该公开内容彻底且完整并且向本领域技术人员 全面转达本公开内容的构思，并且本公开内容仅由所附权利要求所限定。 在整个说明书中，相同的附图标记始终表示相同的元件。在附图中，为了 清楚起见，放大了层和区域的厚度。