[发明专利]基板处理设备

权利要求书

1.一种基板处理设备，包括：

腔室，提供反应区域及包括彼此相对的第一及第二边；

模块，连接到所述第一边；

上电极，位于所述反应区域中；

基板座，面对着所述上电极，其中在所述基板座上设置基板，且在所 述基板上定义第一及第二点，其中所述第一点对应所述基板的中心，而所 述第二点远离所述第一点而朝向着所述第一边；

第一馈电线，用以施加RF功率，所述第一馈电线连接到所述上电极且 对应着所述第二点；和

第二馈电线，用以施加RF功率，所述第二馈电线连接到所述上电极且 对应着所述第一点，

其中向第一和第二馈电线施加RF功率与向第一和第二馈电线间的中 点施加RF功率具有相同的效果。

2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中所述基板为矩形，具有长 度及短于所述长度的宽度，且所述第一点与所述第二点间的距离在所述基 板的长度的10%至30%范围内。

3.如权利要求1所述的基板处理设备，其中所述基板为矩形，具有长 度及短于所述长度的宽度，且所述第一点与所述第二点间的距离在所述基 板的长度的15%至20%范围内。

4.一种基板处理设备，包括：

腔室，提供反应区域及包括彼此相对的第一及第二边；

上电极，位于所述反应区域中；

基板座，面对着所述上电极，其中在所述基板座上设置基板，且所述 基板为矩形，并具有长度及短于所述长度的宽度，其中在所述基板上定义 第一及第二点，所述第一点对应所述基板的中心，而所述第二点远离所述 第一点而朝向着所述第一边，所述第二点与第一点间的距离为所述基板的 长度的10%至30%；以及

第一及第二馈电线，用以施加RF功率，所述第一及第二馈电线连接至 所述上电极且分别对应所述第一及第二点。

5.如权利要求4所述的基板处理设备，其中在所述第一边处设置基板 入口，用以传送基板进出所述腔室，槽阀与所述基板入口连接，且用以传 送所述基板进入所述反应区域的模块与所述槽阀连接。