[发明专利]基板处理设备

说明书

相关申请的交叉应用

本发明请求2008年12月10日所申请的韩国专利申请案第 10-2008-0125507号以及2009年9月30日所申请的第10-2009-0093151号 的权益，其以引用方式并于本文。

技术领域

本发明涉及一种基板处理设备，尤有涉及一种具有均匀等离子体的基 板处理设备。

背景技术

一般而言，经由在基板上沉积薄膜的沉积工艺、使用光敏材料露出或 覆盖该薄膜的选择区的光刻工艺及图形化该薄膜的选择区的蚀刻工艺而制 造半导体装置、显示器装置或薄膜太阳能电池。在所述多个工艺中，在依 最佳条件所设定的基板处理设备中执行沉积工艺与蚀刻工艺。

图1是说明依据相关技艺的基板处理设备的横剖面视图，且图2是说 明依据相关技艺的包括传输室的基板处理设备示意图。

在图1中，基板处理设备10包括处理室12、底板14、气体供应线36、 气体分布板18、基板座22、基板入口40及排气口24。处理室12提供反应 空间。底板14坐落于处理室12内的上部，且作为等离子体电极。气体供 应线36与底板14连接并提供源气至处理室12中。气体分布板18坐落于 底板14之下且为铝制的。气体分布板18包括多个注入孔。基板座22用作 为该等离子体电极的相对电极，且基板20设置于基板座22上。基板20经 由基板入口40出入处理室12。经由排气口24排出处理室12中所用的反应 气体及副产物。

气体供应线36经馈电线38与射频(RF)功率源30连接。此外，气体 供应线36与远端等离子体控制器50连接。在RF功率源30与馈电线38之 间设置调整阻抗用的匹配器32。在气体分布板18与底板14之间形成缓冲 空间26，且气体分布板18被置在自底板14延伸出且与其连接的支架28上。 供应源气至处理室12中，且RF功率源30的RF功率加至底板14及气体 分布板18。等离子体因气体分布板18与基板座22间的电场而产生。因此， 在基板20上形成薄膜，或蚀刻基板20上的薄膜。

气体供应线36置于底板14的对应处理室12中心的中央部。底板14 相对于通过气体供应线36的垂直线及水平线的每一者具有对称结构。为了 在处理室12中处理基板20，如图2所示，槽阀42与处理室12的基板入口 40连接，且传输室44与槽阀42连接。传输室44提供基板20进入处理室 12或自处理室12传送出基板20。

槽阀42与传输室44依序与处理室12的具有基板入口40的第一边连 接，但槽阀及传输室未与处理室12的相对基板入口40的第二边连接。此 外，当RF功率加至底板14及气体分布板18时，RF功率源30所提供的 RF电流沿着导电材料所制的处理室12、槽阀42与传输室44的表面流动。 除了底板14及气体分布板18之外，RF电流会传送到毗邻的导体表面，即 处理室12、槽阀42与传输室44。

顺带一提，在如图1及图2所示的相关技艺的基板处理设备10中，可 能无法均匀地产生等离子体。因此，可能在基板20上形成具有不均匀厚度 的薄膜。该薄膜的不均匀厚度起因于电场的非对称。位于处理室12的相对 于基板入口40的第二边的RF电流仅沿着处理室12的表面流动且具有第一 路径。另一方面，位于处理室12的具有基板入口40的第一边的RF电流沿 着处理室12的表面、槽阀42与传输室44流动并具有第二路径，该第二路 径因槽阀42与传输室44而较该第一路径长。

因此，第一及第二路径间的差异导致电场的非对称。该电场的非对称 会扰乱均匀等离子体的产生且影响薄膜的形成。基板20上毗邻处理室12 第一边所形成的薄膜厚度厚于基板20上毗邻处理室12第二边所形成的薄 膜厚度。因此，该薄膜的厚度是不均匀的。

为了解决此问题，可通过增加气体分布板18及基板座22间的距离而 改善等离子体的均匀度。然而，在此情况中，等离子体的密度会降低，且 基板20上所形成的薄膜密度会降低。

发明内容

因此，本发明涉及一种基板处理设备，其通过对应远离基板中心的点 而设立用以对上电极施加RF功率的馈电线，而产生均匀等离子体及形成具 有均匀厚度的薄膜。

本发明的另一目标是提供基板处理设备，其通过对应基板中心及远离 该基板中心的点而分别设立用以对上电极施加RF功率的第一及第二馈电 线，而产生均匀等离子体及形成具有均匀厚度的薄膜。