[发明专利]太阳能电池的制造方法无效
申请号: | 200910258493.8 | 申请日: | 2009-12-24 |
公开(公告)号: | CN101807623A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 金泰润;朴元绪;李正禹;朴成基;沈敬珍 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/48 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 | ||
技术领域
本公开涉及太阳能电池的制造方法。
背景技术
本申请要求2009年2月16日提交的韩国专利申请No.10-2009-0012411的优先权,此处以引证的方式并入其全部内容。
为了满足近来增长的能源需求,已经开发出将太阳光能转换成电能的各种太阳能电池。在这些太阳能电池中,使用硅膜的太阳能电池被广泛应用在商业中。
通常,太阳能电池利用外部光在其半导体中产生电子/空穴对。在电子/空穴对中,通过在pn结产生的电场,电子移向n型半导体,空穴移向p型半导体。因此,产生电力。
为了具备更优秀的性能,太阳能电池被开发以增强其入射光效率。因而,提出了使更大量的光进入薄膜的各种结构,所述各种结构包括pn结并且将太阳光转换为电能。
薄膜型结构包括纹理化结构(textured structure),该纹理化结构具有在透明层上形成的不平坦图案。纹理化结构的太阳能电池被积极研究以实现提高的入射光效率。
发明内容
因此,本发明实施方式涉及一种太阳能电池的制造方法,其能够基本上克服因相关技术的局限和缺点带来的一个或更多个问题。
本发明实施方式的目的是提供一种具有提高的入射光效率的太阳能电池和该太阳能电池的制造方法。
本发明实施方式的附加特征和优点将在下面的描述中描述,且将从描述中部分地显现,或者可以通过本发明实施方式的实践来了解。通过书面的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明实施方式的优点。
根据本发明实施方式的一个总的方面,一种制造太阳能电池的方法包括以下步骤:在透明基板上形成第一透明导电层;利用蚀刻剂溶液对所述第一透明导电层的上表面进行纹理化,该蚀刻剂溶液包含分子量约为58~300的酸;在所述第一透明导电层上形成光电转换层;在所述光电转换层上形成第二透明导电层;以及在所述第二透明导电层上形成背电极。
在对第一透明导电层进行纹理化的过程中,本发明实施方式的太阳能电池的制造方法使得晶体的上部而不是晶体之间的侧部被蚀刻,因为使用了包含分子量约为58~300的酸的蚀刻剂溶液,即,使用了包含大分子量的酸的蚀刻剂溶液。由此,该太阳能电池的制造方法可以形成具有圆形的不平坦图案的第一透明导电层。换句话说,该太阳能电池的制造方法使得第一透明导电层形成具有大间距的不平坦图案。因此,可以提供一种在第一透明导电层的界面具有增强的透光率的太阳能电池。
蚀刻剂溶液可以包含醋酸,并且醋酸可以包含氢键。由此,蚀刻剂溶液可以具有与分子量约为120的酸相似的特性。因此,本发明实施方式的太阳能电池的制造方法利用包含醋酸的溶液对第一透明导电层进行纹理化,从而可以提供具有提高的透光率的太阳能电池。
在检查随后的附图和详细描述之后,其它系统、方法、特点以及优点将会,或将变成对本领域技术人员显而易见的。所有这些附加的系统、方法、特点以及优点将会包括在该描述中,在本发明的保护范围内,并且被随后的权利要求保护。该部分中没有对那些权利要求的限制。其它方面和优点将在下面结合实施方式讨论。应该理解的是,本公开的上述一般描述和下述详细描述是示例性和说明性的,且旨在提供所要求保护的本公开的进一步解释。
附图说明
附图被包括在本申请中以提供对本发明实施方式的进一步理解,并结合到本申请中且构成本申请的一部分,附图示出了本发明的实施方式,且与说明书一起用于解释本公开的原理。附图中:
图1至6是例示根据本公开的一个实施方式的薄膜型太阳能电池的制造方法的截面图;
图7是示出根据一个实验例而形成的透明导电层的照片;
图8是例示按照时间,根据实验例和比较例而形成的透明导电层的光透射量的图;以及
图9是例示按照波长,根据实验例和比较例而形成的透明导电层的透光率的图。
具体实施方式
下面将详细描述本公开的实施方式,在附图中例示出了其示例。在下文中介绍的这些实施方式被提供作为示例,以向本领域的普通技术人员传达其精神。因此,这些实施方式以不同的形式来实施,由此不限于在此所描述的这些实施方式。
此外,可以理解在实施方式中,当一个元件,诸如基板、层、区域、膜、或电极,形成在另一个元件“上”或“下”时,其可以是直接形成在该另一元件上或下,或者也可以存在居间元件(间接地)。术语一个元件“上”或“下”将根据附图来确定。在附图中,为清楚起见,元件的边可以被夸大,但是这并不代表元件的实际尺寸。
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