[发明专利]半导体发光器件及具有该半导体发光器件的发光器件封装

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

包括多个化合物半导体层的发光结构，所述发光结构具有圆化侧表面；

在所述发光结构上的第一电极单元；

在所述化合物半导体层下的第二电极层，和

在所述第二电极层和所述发光结构之间的区域周围的沟道层，

其中所述第一电极单元包括：

在所述发光结构上的第一电极垫；

从所述第一电极垫分支的第一图案；和

连接至所述第一图案并具有圆形环的第二图案，

其中所述第一电极单元的所述第二图案相对于所述发光结构的所述圆 化侧表面间隔开基本相同的距离，以及

其中所述发光结构的所述圆化侧表面通过所述沟道层与所述第二电极 层间隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述发光结构包括柱形 状。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述沟道层包括SiO₂、 SiO_x、SiO_xN_y、Si₃N₄、Al₂O₃、TiO₂、ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、 IZTO(氧化铟锌锡)、IAZO(氧化铟铝锌)、IGZO(氧化铟镓锌)、IGTO (氧化铟镓锡)、AZO(氧化铝锌)、ATO(氧化锑锡)和GZO(氧化镓 锌)中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述发光结构包括III-V 族化合物半导体并且包括：在所述第一电极单元下的第一导电型半导体 层；在所述第一导电型半导体层下的有源层；和在所述有源层和所述第二 电极层之间的第二导电型半导体层。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，包括：在所述第二导电型半 导体层和所述第二电极层之间的第三导电型半导体层、非金属层和欧姆层 中的至少一个。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一图案从所述第 一电极垫向外分支成为至少一种形状，并且所述第二图案形成为圆形或者 形成为与所述第一导电型半导体层的外形相同的形状。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，包括：在所述第二电极层下 的导电支撑构件。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述发光结构具有边缘周 边半径为从所述发光结构的中心至外侧的圆的半径的约1/2或更大。

9.一种半导体发光器件，包括：

包括多个化合物半导体层的发光结构，所述多个化合物半导体层至少 包括有源层；

包括第一部分和第二部分的第二电极层，所述第一部分设置在所述有 源层的底表面之下，所述第二部分从所述第一部分朝向外横向方向延伸， 使得所述有源层不形成在所述第二部分上；

在所述第二电极层和所述发光结构之间的区域周围的沟道层，和

在所述发光结构上的第一电极单元；

其中所述第一电极单元包括：

在所述发光结构上的第一电极垫；

从所述第一电极垫分支的第一图案；和

连接至所述第一图案并具有圆形环的第二图案，以及

其中所述第一电极单元的所述第二图案相对于所述发光结构的所述圆 化侧表面间隔开基本相同的距离，

其中所述第二电极层的所述第二部分不与所述有源层垂直地交叠，以 及

其中所述发光结构的所述圆化侧表面通过所述沟道层与所述第二电极 层间隔开。

10.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中所述发光结构具有多边 形的形状，包括III-V族化合物半导体并且包括：在所述第一电极单元下 的N型半导体层；在所述N型半导体层下的有源层；和在所述有源层下的 P型半导体层。