[发明专利]半导体发光器件及具有该半导体发光器件的发光器件封装

说明书

相关申请

根据35U.S.C.119和35U.S.C.365，本申请要求韩国专利申请 10-2008-00135989(2008年12月29日提交)的优先权，通过引用将其全 部内容并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体发光器件以及具有该半导体发光器件的发光器件封 装。

本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。

背景技术

由于III-V族氮化物半导体的物理和化学特性，因而它们被认为是用 于发光器件例如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的芯材料。III-V 族氮化物半导体的一个实例是具有组成式为In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1， 0≤x+y≤1)的氮化物半导体。

LED是一种用作光源或者利用化合物半导体特性将电转化为光或紫 外(UV)线以交换信号的半导体器件。

基于氮化物半导体的LED或LD广泛用于发光器件，并且作为光源应 用于各种产品，例如移动电话的键盘发光单元、电光板和照明器件。

发明内容

本发明实施方案提供圆柱形半导体发光器件或具有圆化边缘的半导体 发光器件以及具有该半导体发光器件的发光器件封装。

本发明实施方案提供圆柱形半导体发光器件或具有至少一个圆化边缘 的柱型半导体发光器件以及具有该半导体发光器件的发光器件封装。

本发明实施方案提供通过圆柱形发光结构能够改善远场光束分布的半 导体发光器件以及具有该半导体发光器件的发光器件封装。

一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括：包括在外缘处具有圆 化侧表面的多个化合物半导体层的发光结构；在所述发光结构上的第一电 极单元；和在所述发光结构下方的第二电极层。

一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括：具有多个化合物半导 体层的圆柱形发光结构；在所述发光结构下方的多边形第二电极层；在所 述发光结构上的第一电极垫；和沿着所述发光结构的上边缘设置并且电连 接至所述第一电极垫的环型图案。

一个实施方案提供一种发光器件封装，包括：圆柱形发光器件，其包 括具有第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的多个化合物 半导体层；在所述第二导电型半导体层下方的非球形第二电极层；和在所 述第一导电型半导体层上的第一电极单元；在顶部具有开口空腔的体单 元；和设置在所述体单元的空腔中并且电连接至所述第一电极单元和所述 第二电极层的多个引线电极。

在附图和以下的详细描述中详细说明一个或多个实施方案。其它特征 通过描述和附图以及权利要求而变得显而易见。

附图说明

图1是根据实施方案1的半导体发光器件的侧视截面图。

图2是图1的半导体发光器件的立体图。

图3是图1的半导体发光器件的平面图。

图4～6是说明制造根据实施方案1的半导体发光器件的工艺的截面 图。

图7～11是说明制造根据实施方案2的半导体发光器件的工艺的截面 图。

图12是根据实施方案3的半导体发光器件的立体图。

图13是图12的半导体发光器件的平面图。

图14是根据实施方案4的半导体发光器件的截面图。

图15是根据实施方案5的发光器件封装的立体图。

图16是说明图15的发光器件封装的另一实施方案的立体图。

具体实施方式

现在将详细说明本发明的实施方案，在附图中对其实例进行说明。

在实施方案的描述中，各层的‘上’和‘下’是基于附图来表述的。在附图 中，各元件的尺寸可进行放大以清楚地说明，因此各元件的尺寸可与各元 件的实际尺寸不同。

在实施方案的描述中，应理解当层(或膜)、区域、图案或结构称为在 衬底、层(或膜)、区域、垫或图案的“上/下”时，其可以直接在所述衬底、 层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可存在中间层。

图1是根据实施方案1的半导体发光器件的侧视截面图。图2是图1 的半导体发光器件的立体图。图3是图1的半导体发光器件的平面图。