[发明专利]视角可控制的液晶显示装置及其制造方法有效
申请号: | 200910259168.3 | 申请日: | 2009-12-15 |
公开(公告)号: | CN101752306A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 李挥得 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/02;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 视角 控制 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示LCD装置的制造方法,所述方法包括:
提供包含4种子像素的第一基板和第二基板,所述4种子像素包括 RGB彩色像素和电控双折射ECB控制像素;
第一掩模工艺,用于在所述第一基板上形成栅极和选通线;
在所述栅极和所述选通线上形成栅绝缘层;
第二掩模工艺,包括:
在所述栅绝缘层上形成有源图案和欧姆接触层,
在所述有源图案上形成源极和漏极,以及形成与所述选通线交 叉以限定像素区域的数据线;
第三掩模工艺,包括:
在所述有源图案、所述源极和漏极、以及所述数据线上形成钝 化层,
通过半色调掩模去除所述钝化层的一部分以形成曝露出所述漏 极的一部分的第一接触孔,以及去除所述ECB控制像素的栅绝缘层 和钝化层以形成打开所述ECB控制像素的像素区域的孔,
通过半色调掩模选择性地去除所述ECB控制像素的栅绝缘层和 钝化层以在所述ECB控制像素的像素区域附近保留栅绝缘层的厚度 的一部分;
第四掩模工艺,用于形成像素电极RGB、公共电极以及像素电极 ECB,该第四掩模工艺包括:
形成RGB彩色像素的像素区域内的像素电极,使得该像素电极 通过所述第一接触孔连接到漏极,以及形成与所述像素电极交替布 置以产生面内场的公共电极,
形成打开ECB控制像素的像素区域的孔内的像素电极,使得该 像素电极经由所述第一接触孔连接到所述漏极;以及
接合所述第一基板和第二基板。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一掩模工艺还包括:
在与所述选通线平行的方向上形成公共线,以及在与所述数据线平 行的方向上形成连接线。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第三掩模工艺还包括:
通过利用半色调掩模去除所述RGB像素的栅绝缘层和钝化层的一 部分以形成第二接触孔,该第二接触孔曝露出所述公共线的一部分。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述RGB彩色像素的公共 电极通过所述第二接触孔连接到所述公共线。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,通过半色调掩模选择性地去 除所述钝化层的全部和所述ECB控制像素的栅绝缘层的厚度的一部分, 以在该ECB控制像素的像素区域的附近保留所述栅绝缘层的厚度的一部 分。
6.一种液晶显示LCD装置,其包括:
包含4种子像素的第一基板和第二基板,所述4种子像素包括RGB 彩色像素和电控双折射ECB控制像素;
在所述第一基板上形成的栅极和选通线;
在所述栅极和选通线上形成的栅绝缘层;
在所述栅绝缘层上形成的有源图案和欧姆接触层;
在所述有源图案上形成的源极和漏极,以及在所述有源图案上形成 并与所述选通线交叉以限定像素区域的数据线;
形成在所述有源图案、所述源极和漏极以及所述数据线上的钝化层, 其具有第一接触孔,该第一接触孔是通过去除所述钝化层的一部分而形 成的并且曝露出所述漏极的一部分;
形成在RGB彩色像素的像素区域内的像素电极,该像素电极通过所 述第一接触孔连接到所述漏极,以及在所述RGB彩色像素的像素区域内 形成的公共电极,该公共电极与所述像素电极交替布置以产生面内场; 以及
形成在打开ECB控制像素的像素区域的孔内的像素电极,该像素电 极经由所述第一接触孔连接到所述漏极,
当选择性地去除所述ECB控制像素的栅绝缘层和钝化层时,在所述 ECB控制像素的像素区域的附近保留所述栅绝缘层的厚度的一部分。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置,该液晶显示装置还包括:
利用构成所述栅极和选通线的第一导电膜在与所述选通线平行的方 向上形成的公共线,以及在与所述数据线平行的方向上形成的连接线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造