[发明专利]高电压金属介电质半导体晶体管有效
| 申请号： | 200910260315.9 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101840931A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李名镇;曹卫立 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 葛强;张一军 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压 金属 介电质 半导体 晶体管 | ||
1.一种高电压金属介电质半导体晶体管，包括：
半导体衬底；
沟槽隔离区，位于该半导体衬底之内，用以环绕有源区；
栅极，位于该有源区之上；
具有第一导电类型的漏极掺杂区，位于该有源区之内；
具有该第一导电类型的源极掺杂区，位于具有第二导电类型的第一阱之内，其中该第一阱位于该有源区之内；以及
具有该第一导电类型的源极轻掺杂区，位于该栅极与该源极掺杂区之间；
其中，在该栅极与该漏极掺杂区之间无隔离区形成。
2.根据权利要求1所述的高电压金属介电质半导体晶体管，其特征在于，该漏极掺杂区形成于具有该第一导电类型的第二阱之内。
3.根据权利要求2所述的高电压金属介电质半导体晶体管，其特征在于，通道区被界定于该源极轻掺杂区与该第二阱之间。
4.根据权利要求3所述的高电压金属介电质半导体晶体管，其特征在于，该高电压金属介电质半导体晶体管还包括栅极介电层，被配置于该栅极与该通道区之间。
5.根据权利要求3所述的高电压金属介电质半导体晶体管，其特征在于，该通道区包括该半导体衬底的基体部分。
6.根据权利要求3所述的高电压金属介电质半导体晶体管，其特征在于，该通道区包括位于该栅极之下的本征区。
7.根据权利要求1所述的高电压金属介电质半导体晶体管，其特征在于，该高电压金属介电质半导体晶体管还包括该栅极与该漏极掺杂区之间的具有该第一导电类型的漏极轻掺杂区。
8.根据权利要求1所述的高电压金属介电质半导体晶体管，其特征在于，该栅极包括两个相连的部分：第一部分与第二部分，其中，该栅极的该第一部分具有第一掺杂浓度，邻近该漏极掺杂区的该第二部分具有第二掺杂浓度。
9.根据权利要求8所述的高电压金属介电质半导体晶体管，其特征在于，该第二掺杂浓度低于该第一掺杂浓度。
10.根据权利要求1所述的高电压金属介电质半导体晶体管，其特征在于，该栅极包括侧壁间隔区。
11.根据权利要求10所述的高电压金属介电质半导体晶体管，其特征在于，该源极轻掺杂区位于该侧壁间隔区之下。
12.根据权利要求10所述的高电压金属介电质半导体晶体管，其特征在于，该漏极掺杂区未与该侧壁间隔区的边沿对准。
13.一种高电压金属介电质半导体晶体管，包括：
半导体衬底；
沟槽隔离区，位于该半导体衬底之内，用以环绕有源区；
栅极，位于该有源区之上；
具有第一导电类型的漏极掺杂区，位于该半导体衬底的基体部分之内，其中，该半导体衬底具有第二导电类型；
具有该第一导电类型的漏极轻掺杂区，位于该栅极与该漏极掺杂区之间的该半导体衬底的该基体部分之内；
具有该第一导电类型的源极掺杂区，位于具有该第二导电类型的阱之内；以及
具有该第一导电类型的源极轻掺杂区，位于该栅极与该源极掺杂区之间；
其中，在该栅极与该漏极掺杂区之间无隔离区形成。
14.一种高电压金属介电质半导体晶体管，包括：
半导体衬底；
沟槽隔离区，位于该半导体衬底之内，用以环绕有源区；
栅极，位于该有源区之上；
具有该第一导电类型的漏极掺杂区，位于具有第一导电类型的第一阱之内，其中，在该第一阱之内无隔离区形成，且该半导体衬底具有第二导电类型；
具有该第一导电类型的源极掺杂区，位于具有该第二导电类型的第二阱之内；以及
具有该第一导电类型的源极轻掺杂区，位于该栅极与该源极掺杂区之间。
15.根据权利要求14所述的高电压金属介电质半导体晶体管，其特征在于，具有该第一导电类型的漏极轻掺杂区被配置于该栅极与该漏极掺杂区之间的该第一阱之内。
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