[发明专利]微影图案化方法

权利要求书

1.一种微影图案化方法，其特征在于包含：

提供一基材；

形成一第一材料层于该基材上，其中该第一材料层包含一非共轭式高分子聚合物；

形成一第二材料层于该第一材料层上，其中该第二材料层包含一共轭式高分子聚合物；

形成一第三材料层于该第二材料层上；以及；

利用一超紫外光微影制造工艺或一电子束微影制造工艺来图案化该第三材料层。

2.如权利要求1所述的微影图案化方法，其特征在于其中形成包含该非共轭式高分子聚合物的该第一材料层的步骤包含提供具有由多个非共轭式高分子聚合物组成的一骨架的该第一材料层。

3.如权利要求2所述的微影图案化方法，其特征在于还包含从一聚甲基丙烯酸甲酯、一酚甲醛、一聚乙烯、一聚丙烯、一聚对羟基苯乙烯、一聚碳酸酯树脂、一聚脂、与上述材料的组合中的至少一者选择该非共轭式高分子聚合物。

4.如权利要求1所述的微影图案化方法，其特征在于其中形成包含该共轭式高分子聚合物的该第二材料层的步骤包含提供具有由多个共轭式高分子聚合物组成的一骨架的该第二材料层。

5.如权利要求4所述的微影图案化方法，其特征在于还包含从一多环芳香族高分子聚合物、一异质芳香族高分子聚合物、与上述材料的组合中的至少一者选择该共轭式高分子聚合物。

6.如权利要求1所述的微影图案化方法，其特征在于其中形成该第三材料层的步骤包含沉积或涂布一超紫外光光阻材料或一电子束光阻材料。

7.一种微影图案化方法，其特征在于包含：

提供一基材；

形成一保护层于该基材上；

形成一导电层于该保护层上；

形成一光阻层于该导电层上；以及；

曝光与显影该光阻层。

8.如权利要求7所述的微影图案化方法，其特征在于其中形成该保护层的步骤包含沉积或涂布包含一非共轭式高分子聚合物的一材料层。

9.如权利要求8所述的微影图案化方法，其特征在于还包含从聚甲基丙烯酸甲酯、酚甲醛、聚乙烯、聚丙烯、聚对羟基苯乙烯、聚碳酸酯树脂、及聚脂中的至少一者选择该非共轭式高分子聚合物。

10.如权利要求7所述的微影图案化方法，其特征在于其中形成该导电层的步骤包含沉积或涂布包含一高分子聚合物的一材料层，其中该高分子聚合物提供一共轭式高分子聚合物的一电子结构或一共轭式高分子聚合物的一本质导电性。

11.如权利要求7所述的微影图案化方法，其特征在于其中形成该导电层的步骤包含沉积或涂布包含一共轭式高分子聚合物的一材料层。

12.如权利要求11所述的微影图案化方法，其特征在于还包含从聚乙炔、聚苯、聚噻吩、聚咇咯、聚呋喃、聚苯胺、聚对苯亚乙烯、聚亚噻吩亚乙烯、聚苝亚乙烯与聚亚呋喃亚乙烯中的至少一者选择该共轭式高分子聚合物。

13.如权利要求7所述的微影图案化方法，其特征在于其中形成该光阻层的步骤包含形成一超紫外光光阻层或一电子束光阻层，且曝光该光阻层的步骤包含利用一超紫外光曝光制造工艺或一电子束曝光制造工艺。

14.如权利要求13所述的微影图案化方法，其特征在于其中形成该超紫外光光阻层或该电子束光阻层的步骤包含使该超紫外光光阻层或该电子束光阻层包含聚对羟基苯乙烯高分子聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯高分子聚合物、酚醛高分子聚合物、或上述材料的组合。

15.一种微影图案化方法，其特征在于包含：

提供一基材；

形成一抗反射覆盖层于该基材上，其中该抗反射覆盖层设置来保护该基材免受电子放电或电子转移；

形成一导电层于该抗反射覆盖层上，其中该导电层是设置来提供一电子转移路径或一电荷散逸路径；以及

形成一光阻层于该导电层上。