[发明专利]微影图案化方法有效
申请号: | 200910261397.9 | 申请日: | 2009-12-24 |
公开(公告)号: | CN102034752A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 黄义雄;林进祥;李宏仁;刘恒信 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体元件的制造方法,特别是涉及制造这些半导体元件的图案化方法。
背景技术
半导体集成电路(IC)工业已历经快速成长。集成电路材料与设计上的科技进展已形成数个集成电路世代,其中每一世代具有较前一世代更小且更复杂的电路。在集成电路发展的进程中,随着几何尺寸[亦即,利用一制造工艺(即制程,以下均称为制造工艺)可形成的最小构件(或线)]的减少,功能密度(亦即,每晶片面积的互连元件的数量)大体上已获得增加。此一尺寸缩减过程通常可提供增进生产效率与降低相关成本的优势。这样的尺寸缩减亦已增加了处理与制造集成电路的复杂性,为了实现这些进展,在集成电路处理与制造上需要相似的发展。举例而言,随着技术节点持续缩减,执行许多微影方法,例如超紫外光(EUV)微影及/或电子束(e-beam)微影方法,来进行更小特征的图案化。超紫外光与电子束微影方法改善小特征的图案化。然而,这些微影方法的更短波长与更高的能量,已观测到元件损害可能会发生在即将制造的元件上。
由此可见,上述现有的微影图案化方法在产品结构、制造方法与使用上,显然仍存在有不便与缺陷,而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来一直未见适用的设计被发展完成,而一般产品及方法又没有适切的结构及方法能够解决上述问题,此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的微影图案化方法,实属当前重要研发课题之一,亦成为当前业界极需改进的目标。
发明内容
本发明的目的在于,克服现有的集成电路制造方法存在的缺陷,而提供一种新的微影图案化方法,所要解决的技术问题是在基材与光阻层之间加入导电层与保护层,其中,保护层可提供较佳的隔离,而避免电子转移或电子局部充电,导电层则可提供至地面的电子转移路径或电荷散逸路径,非常适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种微影图案化方法,包含:提供一基材;形成一第一材料层于该基材上,其中该第一材料层包含一非共轭式高分子聚合物;形成一第二材料层于该第一材料层上,其中该第二材料层包含一共轭式高分子聚合物;形成一第三材料层于该第二材料层上;以及;利用一超紫外光微影制造工艺或一电子束微影制造工艺来图案化该第三材料层。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的微影图案化方法,其中形成包含该非共轭式高分子聚合物的该第一材料层的步骤包含提供具有由多个非共轭式高分子聚合物组成的一骨架的该第一材料层。
前述的微影图案化方法,还包含从一聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、一酚甲醛(Bakelite)、一聚乙烯(PE)、一聚丙烯(PP)、一聚对羟基苯乙烯(PHS)、一聚碳酸酯树脂(polycarbonate)、一聚脂(polyester)、与上述材料的组合中的至少一者选择该非共轭式高分子聚合物。
前述的微影图案化方法,其中形成包含该共轭式高分子聚合物的该第二材料层的步骤包含提供具有由多个共轭式高分子聚合物组成的一骨架的该第二材料层。
前述的微影图案化方法,还包含从一多环芳香族(Polyaromatic)高分子聚合物、一异质芳香族(Polyheteroaromatic)高分子聚合物、与上述材料的组合中的至少一者选择该共轭式高分子聚合物。
前述的微影图案化方法,其中形成该第三材料层的步骤包含沉积或涂布一超紫外光光阻材料或一电子束光阻材料。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种微影图案化方法,包含:提供一基材;形成一保护层于该基材上;形成一导电层于该保护层上;形成一光阻层于该导电层上;以及;曝光与显影该光阻层。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的微影图案化方法,其中形成该保护层的步骤包含沉积或涂布包含一非共轭式高分子聚合物的一材料层。
前述的微影图案化方法,还包含从聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、酚甲醛(Bakelite)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚对羟基苯乙烯(PHS)、聚碳酸酯树脂(polycarbonate)、及聚脂(polyester)中的至少一者选择该非共轭式高分子聚合物。
前述的微影图案化方法,其中形成该导电层的步骤包含沉积或涂布包含一高分子聚合物的一材料层,其中该高分子聚合物提供一共轭式高分子聚合物的一电子结构或一共轭式高分子聚合物的一本质导电性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造