[发明专利]一种高温超导延迟线无效
| 申请号： | 200910265210.2 | 申请日： | 2009-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN101707275A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 杨时红;王生旺;胡来平;左涛;吴志华 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十六研究所 |
| 主分类号： | H01P9/00 | 分类号： | H01P9/00;H01L39/12;H01L29/24 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所 34115 | 代理人： | 奚华保 |
| 地址： | 230043 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高温 超导 延迟线 | ||
1.一种高温超导延迟线，其特征在于该延迟线由高温超导延迟线芯片(4)、高温超导延迟线盒体(3)，输入SMA接头(1)和输出SMA接头(2)组成；所述高温超导延迟线芯片(4)置于高温超导延迟线盒体(3)内，其输入、输出接口分别与输入SMA接头(1)和输出SMA接头(2)相连；所述高温超导延迟线芯片(4)采用铝酸镧(LaALO3)作为基片，在基片两面溅射上高温超导薄膜，在高温超导薄膜上原位溅射有金膜；其中一面的高温超导薄膜和金膜全部保留，作为接地面，另一面为高温超导共面线，高温超导共面线由高温超导导带(6)和与之相连的高温超导曲折线(7)及高温超导共地面(5)构成。
2.根据权利要求1所述的高温超导延迟线，其特征在于所述高温超导薄膜为高温超导钇钡铜氧(YBa2Cu3O7-Δ)薄膜或高温超导铊钙钡铜氧(TLrBarCaCurO8)薄膜。
3.根据权利要求1或2所述的高温超导延迟线，其特征在于所述高温超导薄膜厚度为4500-5500埃，所述金膜厚度为450-550埃；高温超导延迟线的特性阻抗为45-55Ω，所述高温超导延迟线芯片的输入、输出采用阻抗阶梯变换。
4.根据权利要求1所述的高温超导延迟线，其特征在于所述高温超导延迟线芯片(4)通过铟片焊接在所述高温超导延迟线盒体(3)盒底上，
5.根据权利要求1所述的高温超导延迟线，其特征在于所述高温超导延迟线盒体(3)采用金属钛板材料。
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