[发明专利]一种高温超导延迟线

说明书

所属技术领域：

本发明涉及一种微波器件，具体涉及一种高温超导延迟线，主要应用于雷达、电子计算机、彩色电视系统、通信系统，以及测量仪器中，进行信号的记忆存储。

背景技术：

传统的同轴延迟线、声表面波(SAW)延迟线、电荷耦合器件(CCD)等均已不适应未来技术发展的需求，主要原因是由于其工作带宽较窄，其传输损耗、色散和换能器复杂的结构限制，在频率较高时，器件的性能大大降低；同轴电缆中传输的是TEM波，其有色散较小的优点，然而它取得较大延迟时间的同时，不可避免的会引入较大的插损；另外，同轴电缆延迟线体积较大，这对其在电路系统中，尤其是在平面封装电路中的应用带来了很大的局限性。

发明内容：

为了解决常规延迟线工作频宽窄、传输损耗大等不足，本发明的目的在于提供一种高温超导延迟线，它具有工作频率高、带宽宽、插损小、弱色散等特性。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案包括：一种高温超导延迟线，该延迟线由高温超导延迟线芯片、高温超导延迟线盒体、输入SMA接头(SMA为同轴连接器缩写)和输出SMA接头组成。所述高温超导延迟线芯片置于高温超导延迟线盒体内，其输入、输出接口分别与输入SMA接头和输出SMA接头相连；所述高温超导延迟线芯片采用铝酸镧(LaALO₃)作为基片，在基片两面溅射上高温超导薄膜，在高温超导薄膜上原位溅射有金膜；其中一面的高温超导薄膜和金膜全部保留，作为接地面，另一面为高温超导共面线，高温超导共面线由高温超导导带和与之相连的高温超导曲折线及高温超导共地面构成。

所述高温超导薄膜为高温超导钇钡铜氧(YBa₂Cu₃O_7-Δ)薄膜或高温超导铊钙钡铜氧(TLrBarCaCurO₈)薄膜。

所述高温超导薄膜厚度为4500-5500埃，所述金膜厚度为450-550埃；高温超导延迟线的特性阻抗为45-55Ω，所述高温超导延迟线芯片的输入、输出采用阻抗阶梯变换。

所述高温超导延迟线芯片通过铟片焊接在所述高温超导延迟线盒体(3)盒底上，

所述高温超导延迟线盒体采用金属钛板(棒)材料。所述输入、输出SMA接头内导体直径φ0.2mm的不锈钢，采用四氟乙烯材料绝缘。

本发明的有益效果是：由于实现了平面集成技术，可将多片高温超导延迟线级联，同时具有频率高、工作带宽宽、插入损耗小、弱色散等特性，实现了平面集成技术，可将高温超导延迟线与其它器件相连而不影响整个系统的性能。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明：

图1是本发明结构示意图；

图2是本发明高温超导延迟线芯片电路结构示意图；

图3是图2的局部放大图；

图4是本发明单片的插入损耗与驻波图；

图5是本发明单片的延时与驻波图。

图6是本发明级联的插入损耗与驻波图；

图7是本发明级联的延时与驻波图。

图中，1.输入SMA接头，2.输出SMA接头，3.高温超导延迟线盒体，4.高温超导延迟线芯片，5.高温超导共地面，6.高温超导导带，7.高温超导曲折线，8.输入输出阻抗阶梯，9.左间隙，10.右间隙。

具体实施方式

在图1中，输入SMA接头1和输出SMA接头2安装在高温超导延迟线盒体3的侧壁上的，用螺钉固定；高温超导延迟线盒体3由盒体侧壁、盒底和盒盖三部分组成，盒体侧壁与盒底、盒体侧壁与盒盖间用螺钉固定；高温超导延迟线芯片4通过0.1mm厚的铟片焊接在盒底上，高温超导延迟线芯片4的输入输出接口分别与输入SMA接头1和输出SMA接头2相连。工作温度为77K以下。