[发明专利]半导体存储单元及其制造方法和操作方法

权利要求书

1.一种方法，包括以下步骤：

制备包括N阱区的半导体衬底；

在所述半导体衬底上方形成浮置栅极多晶硅；

在所述浮置栅极多晶硅上方形成触点；以及

在所述触点与所述浮置栅极多晶硅之间形成电介质。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述触点沿字线多晶硅的方向连接到所述半导体衬底的控制栅极线。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述电介质将所述触点耦接到所述浮置栅极多晶硅。

4.一种装置，包括：

半导体衬底，包括N阱区；

控制栅极线，位于所述半导体衬底上方；

浮置栅极多晶硅，位于所述半导体衬底上方；

触点，位于所述浮置栅极多晶硅上方，并连接到所述控制栅极线；以及

电介质，位于所述触点与所述浮置栅极多晶硅之间。

5.如权利要求4所述的装置，其中，所述触点沿字线多晶硅的方向连接到所述控制栅极线。

6.如权利要求4所述的装置，其中，所述电介质将所述触点耦接到所述浮置栅极多晶硅。

7.如权利要求4所述的装置，其中，所述电介质包括膜，所述膜包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的至少之一。

8.一种半导体存储单元的操作方法，所述半导体存储单元包括：浮置栅极，位于包括N阱区的半导体衬底上方且位于位线下方；位于所述浮置栅极下方的字线；位于所述字线下方的共用源极；以及控制栅极，经由电介质通过触点连接到所述浮置栅极，所述方法包括以下步骤：

编程步骤，通过向所述共用源极和所述N阱区施加预设编程电压、将所述控制栅极进行接地和浮置的至少一种操作、以及将所述字线和所述位线接地，从而进行编程；

擦除步骤，通过将所述字线进行浮置和接地的至少一种操作、向所述控制栅极施加预设擦除电压、以及将所述N阱、所述位线和所述共用源极接地，从而进行擦除；以及

读取步骤，通过将所述控制栅极进行接地和浮置的至少一种操作、向所述N阱和所述共用源极施加预设读取电压、将所述字线接地、以及向所述位线施加预设漏极电压，从而进行读取。

9.如权利要求8所述的方法，其中，在所述浮置栅极中感应出介于在所述编程步骤中施加给所述N阱的所述预设编程电压与施加给所述位线的接地电压之间的电压。

10.如权利要求8所述的方法，其中，所述擦除步骤包括通过施加给所述N阱的接地电压和施加给所述位线的接地电压耦合所述浮置栅极的电势。