[发明专利]集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，其包括：

垫，其被配置用来接收外部信号；

静电放电保护器，其与所述垫耦合，以提供到电源电压线和接地电压线的静电放电路径；以及

输入缓冲器，其被配置用来通过输入端接收施加给所述垫的信号。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其还包括：

电源箝位电路，其耦合在所述电源电压线和所述接地电压线之间。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其还包括：

布置在信号传递路径上的电阻器，所述信号传递路径耦合在所述垫和所述输入缓冲器的输入端之间。

4.根据权利要求2所述的集成电路，其中当施加高于预定水平的过电压或者过电流时，所述电源箝位电路在所述电源电压线和所述接地电压线之间提供静电放电路径。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述静电放电保护器是从二极管、栅极接地金属氧化物半导体场效应晶体管、栅极耦合金属氧化物半导体场效应晶体管、双极结型晶体管以及其他金属氧化物半导体器件中选择的。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其还包括：

保护单元，其耦合在所述输入缓冲器的输入端和所述接地电压线之间并且由所述电源电压线使能。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述保护单元包括：

P沟道金属氧化物半导体晶体管，其耦合在所述输入缓冲器的输入端和所述接地电压线之间，具有与所述电源电压线耦合的栅极端。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述P沟道金属氧化物半导体晶体管具有与所述电源电压线耦合的衬底偏置电压端。

9.根据权利要求7所述的集成电路，其中当在正常运行模式中将电源电压施加到所述集成电路时，将接地电压施加到所述P沟道金属氧化物半导体晶体管的栅极端和衬底偏置电压端。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述P沟道金属氧化物半导体晶体管被配置用来维持关断状态而不影响所述输入缓冲器的运行。

11.根据权利要求8所述的集成电路，其中当在非运行状态中未将电源电压施加到所述集成电路时，所述P沟道金属氧化物半导体晶体管的栅极端和衬底偏置电压端被配置为处于浮置状态。

12.根据权利要求11所述的集成电路，其中所述P沟道金属氧化物半导体晶体管被配置用来在针对所述垫的静电放电发生时，基于内部发生的双极结型晶体管现象而将过电流传输到所述电源线，以保护所述输入缓冲器的输入端不被损坏。