[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在半导体衬底上形成的第一多晶硅图案；

在所述第一多晶硅图案的侧面形成的第二多晶硅图案，其中所述第二多晶硅图案的高度高于所述第一多晶硅图案高的高度；

在由所述第一多晶硅图案的上表面和所述第二多晶硅图案的侧面所限制的区域中形成的第三多晶硅图案；和

电连接所述第二多晶硅图案和所述第三多晶硅图案的接触。

2.权利要求1的半导体器件，还包括：

插入所述第一多晶硅图案和所述半导体衬底之间的隧道氧化物层；

插入所述第二多晶硅图案和所述半导体衬底之间的第一栅极氧化物层；和

在所述第一多晶硅图案上和所述第二多晶硅图案侧面上的第二栅极氧化物层，使得所述第二栅极氧化物层插入所述第一多晶硅图案的上表面和所述第三多晶硅图案之间、插入所述第三多晶硅图案和所述第二多晶硅图案的侧面之间、以及插入所述第一多晶硅图案和所述第二多晶硅图案的侧面之间。

3.权利要求1的半导体器件，还包括：

在所述第一多晶硅图案一侧的所述半导体衬底上形成的第一杂质区域；和

在所述第二多晶硅图案一侧的所述半导体衬底上形成的第二杂质区域。

4.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成第一氧化物层图案、第一多晶硅图案、第二氧化物层图案和第一氮化物层图案的堆叠体；

形成具有间隔物形式的第二多晶硅图案，同时与在所述半导体衬底上堆叠的所述第一氧化物层图案、第一多晶硅图案、第二氧化物层图案和第一氮化物层图案的侧面相接触；

从接触所述第一氮化物层图案的侧面的所述第二多晶硅图案之间移除所述第一氮化物层图案，以形成控制栅极区；

在所述控制栅极区中形成具有间隔物形式的一对硬掩模图案，其中所述一对硬掩模图案在所述第一多晶硅图案的上表面上和所述第二多晶硅图案的各个内侧壁上形成；

通过使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述第一多晶硅图案直至暴露出在所述第一多晶硅图案的中心部分处的所述半导体衬底，来形成彼此相邻的第一多晶硅浮置栅极图案；

间隙填充所述第一多晶硅浮置栅极图案之间的间隔；

在由所述第一多晶硅浮置栅极图案的上表面和所述第二多晶硅图案的侧面所限制的区域中形成第三多晶硅图案；和

形成电连接所述第二多晶硅图案和所述第三多晶硅图案的接触。

5.权利要求4的方法，其中形成具有间隔物形式的所述第二多晶硅图案包括：

在所述半导体衬底上堆叠的所述第一氧化物层图案、所述第一多晶硅图案、所述第二氧化物层图案和所述第一氮化物层图案的侧面沉积缓冲氧化物层；

在所述缓冲氧化物层上沉积第二多晶硅层；和

对所述第二多晶硅层实施干回蚀工艺。

6.权利要求5的方法，还包括：在所述第二多晶硅图案的暴露表面上沉积缓冲氧化物层。

7.权利要求4的方法，其中形成所述一对硬掩模图案包括：

沉积第二氮化物层以覆盖包括所述第一多晶硅图案和所述第二多晶硅图案的所述半导体衬底；和

对所述第二氮化物层实施回蚀工艺。

8.权利要求4的方法，其中在由所述第一多晶硅浮置栅极图案的上表面和所述第二多晶硅图案的侧面所限制的区域中形成所述第三多晶硅图案包括：

在所述第一多晶硅浮置栅极图案的上表面上和所述第二多晶硅图案的侧面上沉积栅极氧化物层；

形成第三多晶硅图案以覆盖所述第一多晶硅浮置栅极图案的上表面和所述第二多晶硅图案的侧面；和

使用所述第二多晶硅图案作为防护层实施干回蚀工艺以形成所述第三多晶硅图案。

9.权利要求4的方法，还包括：在所述第一多晶硅图案的中心部分暴露的所述半导体衬底上形成第一杂质区域。

10.权利要求4的方法，还包括：在所述第二多晶硅图案的一侧的所述半导体衬底上形成第二杂质区域。