[发明专利]半导体晶片及半导体装置以及制作半导体晶片及装置的方法

权利要求书

1.一种半导体晶片，其包含：

衬底；

所述衬底上的多个抛光止挡件，所述抛光止挡件包括陶瓷材料；

生长在所述衬底上的一个或一个以上缓冲层；及

所述一个或一个以上缓冲层上的一个或一个以上外延层。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述多个抛光止挡件中的每一者包括基于氮化硼的材料。

3.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述多个抛光止挡件中的每一者为多层抛光止挡件且所述多层抛光止挡件中的每一者的至少一个层包括基于氮化硼的材料。

4.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述多个抛光止挡件中的每一者为多层抛光止挡件且所述多层抛光止挡件中的每一者的至少一个层包括过渡金属氮化物材料。

5.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述多个抛光止挡件使用反应性离子蚀刻(RIE)形成。

6.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述多个抛光止挡件对于可见光是透明的。

7.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述一个或一个以上外延层中的一者为具有折射率的邻近层，所述邻近层邻近于所述多个抛光止挡件，且其中所述多个抛光止挡件中的每一者具有低于邻近半导体层的折射率的折射率。

8.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述抛光止挡件中的每一者包括施加到相关联抛光止挡件的保形层，且其中所述多个抛光止挡件中的每一者包括氮化硼且所述多个保形层中的每一者由半导体或电介质材料制成。

9.根据权利要求6所述的半导体晶片，其中所述保形层中的每一者覆盖所述相关联抛光止挡件的至少一侧。

10.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述多个抛光止挡件包含光增强层。

11.一种发光二极管，其包含：

衬底；

生长在所述衬底上的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括至少一个有源层及多个抛光止挡件，所述多个抛光止挡件中的每一者包括陶瓷材料；及

施加到所述多个半导体层中的一者或一者以上的一个或一个以上电极。

12.根据权利要求11所述的发光二极管，其中所述多个抛光止挡件包括基于氮化硼的材料。

13.根据权利要求11所述的发光二极管，其中所述多个抛光止挡件中的每一者为多层抛光止挡件且所述多层抛光止挡件中的每一者的至少一个层包括基于氮化硼的材料。

14.根据权利要求11所述的发光二极管，其中所述多个抛光止挡件中的每一者为多层抛光止挡件且所述多层抛光止挡件中的每一者的至少一个层包括过渡金属氮化物材料。

15.根据权利要求11所述的发光二极管，其中所述一个或一个以上外延层中的一者为具有折射率的邻近层，所述邻近层邻近于所述多个抛光止挡件，且其中所述多个抛光止挡件中的每一者具有低于所述邻近层的所述折射率的折射率。

16.根据权利要求11所述的发光二极管，其中所述抛光止挡件中的每一者包括施加到相关联抛光止挡件的保形层，且其中所述多个抛光止挡件中的每一者包括基于氮化硼的材料且所述多个保形层中的每一者由半导体或电介质材料制成。

17.根据权利要求11所述的发光二极管，其中所述抛光止挡件中的每一者包含所述衬底的表面上的图案，且其中所述抛光止挡件为用于光抽取的光散射元件。

18.一种制作半导体装置的方法，所述方法包含：

提供衬底；

在所述衬底上形成多个抛光止挡件，所述多个抛光止挡件中的每一者包括陶瓷材料；

在所述衬底上生长一个或一个以上缓冲层；及

在所述一个或一个以上缓冲层上生长一个或一个以上外延层。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述多个陶瓷抛光止挡件中的每一者包括基于氮化硼的材料。

20.根据权利要求18所述的方法，其中所述形成所述多个陶瓷抛光止挡件的步骤包括在所述一个或一个以上外延层中的一者上生长一个或一个以上氮化硼结构。