[发明专利]半导体晶片及半导体装置以及制作半导体晶片及装置的方法

说明书

相关申请案交叉参考

本申请案是在2008年6月2日提出申请的美国专利申请案第12/134,682号的部分连续案，其揭示内容以引用方式完全并入本文中。

技术领域

本发明涉及半导体晶片及半导体装置，且更特定来说涉及一种制作半导体晶片及半导体装置的方法。

背景技术

随后用于半导体装置的制作的半导体晶片的制作是发展良好的技术领域。存在许多不同半导体晶片制作方法，且也存在用预制作晶片制作半导体装置的许多已知方法。半导体装置现在普遍存在于现代技术装置及设备中。

尽管许多晶片及半导体装置构建在硅衬底或类似材料上，但某些装置优选地构建在蓝宝石衬底上，例如基于氮化镓(GaN)的垂直发光二极管(LED)。在一些已知工艺中，使用激光剥离(LLO)工艺移除所述蓝宝石衬底，从而暴露用于后续蚀刻及移除的各种n-型层，以使得n-型电极可接触轻掺杂的n-型GaN层。

然而，制造基于GaN的垂直LED及其它半导体装置的已知方法具有以下限制：LLO工艺在制造可靠、有效的LED方面是不足、具损坏性且效率低的。此外，由于对各种GaN层的类似蚀刻选择性，可难以区分不同层之间的界面。相应地，需要一种解决已知方法的缺点的制作半导体装置的方法。

发明内容

根据本发明的一个实施例，揭示一种半导体晶片。所述半导体包括：衬底；所述衬底上的多个陶瓷抛光止挡件；生长在所述衬底上的一个或一个以上缓冲层；及所述一个或一个以上缓冲层上的一个或一个以上外延层。

根据本发明的另一实施例，揭示一种发光二极管。所述发光二极管包括：衬底；生长在所述衬底上的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括有源层及多个陶瓷抛光止挡件；及施加到所述多个半导体层中的一者或一者以上的一个或一个以上电极。

根据本发明的另一实施例，揭示一种制作半导体装置的方法。所述制作半导体装置的方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成多个陶瓷抛光止挡件；在所述衬底上生长一个或一个以上缓冲层；及在所述一个或一个以上缓冲层上生长一个或一个以上外延层。

根据以下详细说明，本发明的再其它实施例对所属领域的技术人员将变得显而易见，其中以图解说明的方式来描述本发明的实施例。应认识到，本发明可具有其它且不同的实施例，且可对其若干细节作出各种方面的修改，此均不背离本发明的精神及范围。

附图说明

图1是根据本发明的实施例半导体晶片的显示抛光止挡件的形成的截面图。

图2是根据本发明的实施例半导体晶片的显示外延层的生长的截面图。

图3是根据本发明的实施例半导体晶片的显示抛光止挡件在外延层上的形成的截面图。

图4是根据本发明的实施例半导体晶片的显示光子结构在外延层中的形成的截面图。

图5是根据本发明的实施例半导体晶片的显示与蚀刻止挡层组合的抛光止挡件的形成的截面图。

图6是根据本发明的实施例半导体晶片的显示抛光止挡层的形成的截面图。

图7是根据本发明的实施例半导体装置的显示抛光止挡件的形成的截面图。

图8是根据本发明的实施例半导体装置的显示内建触点的形成的截面图。

图9是根据本发明的实施例半导体装置的显示新衬底的形成的截面图。

图10是根据本发明的实施例半导体装置的显示经图案化镀敷的截面图。

图11是根据本发明的实施例半导体装置的显示衬底移除的截面图。

图12是根据本发明的实施例半导体装置的显示实例性半导体装置表面变化的截面图。

图13是根据本发明的实施例半导体装置的显示内建触点的形成的截面图。

图14A是根据本发明的实施例半导体晶片的显示抛光止挡件的形成的截面图。

图14B是根据本发明的另一实施例半导体晶片的显示抛光止挡件的形成的截面图。

图14C是根据本发明的另一实施例半导体晶片的显示抛光止挡件的形成的截面图。

图15是根据本发明的实施例半导体晶片的显示外延层的生长的截面图。

图16是根据本发明的实施例半导体晶片的显示抛光止挡件在外延层上的形成的截面图。

图17是根据本发明的实施例半导体晶片的显示与蚀刻止挡层组合的抛光止挡件的形成的截面图。

图18是根据本发明的实施例半导体装置的显示抛光止挡件的形成的截面图。

图19是根据本发明的实施例半导体装置的显示新衬底的形成的截面图。

图20是根据本发明的实施例半导体装置的显示衬底移除的截面图。

图21是根据本发明的实施例半导体装置的显示实例性半导体装置表面变化的截面图。