[发明专利]一种透明导电薄膜制备方法无效
| 申请号： | 200910266184.5 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101864557A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 王殿儒;杨武保;金佑民 | 申请（专利权）人： | 北京振涛国际钛金技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100086 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种AZO(掺铝氧化锌)薄膜制备方法，其特征在于采用了AZO材料作为靶材及消滴的多弧离子镀技术、在适当的工艺条件下得到性能优越的AZO薄膜
2.如权利要求1所述的消滴的多弧离子镀技术，其特征为，在多弧离子源前方加有挡板
3.如权利要求1所述，多弧源采用的靶材为将AZO(掺铝氧化锌)靶材透过焊接、镶嵌或其它方式连接在Cu基板上而成
4.如权利1要求所述，所采取的工艺条件为：极限真空、＜7×10-3Pa；工作气体、氩气和氧气，其中Ar/O2＝10∶(1-10)；工作压强、(1-10)×10-1Pa；沉积环境温度、50-450℃；基片到阴极弧源间距、20-200cm；沉积时间、5-60min。
5.根据权利要求1所述，不仅是AZO(掺铝氧化锌)膜，以其它透明导电材料为靶材、利用多弧离子镀技术、在任何基片上制备透明导电薄膜，均在本发明的范围之内
6.根据权利要求1所述，任何专用于TCO(透明导电氧化物)膜制备的多弧离子镀膜设备，无论大小，包括连续、半连续、以及单室镀膜设备，均在本发明范围之内。
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