[发明专利]溅射设备及制造电子器件的方法有效
申请号: | 200910266359.2 | 申请日: | 2009-12-24 |
公开(公告)号: | CN101792896A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 泷口庄次;上野秀挥;高野广司 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/35 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溅射 设备 制造 电子器件 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种可应用在沉积处理、表面处理等的溅射设 备以及一种制造电子器件的方法。
背景技术
图6是示出在日本专利特开No.2000-265264中说明的用 于溅射靶的溅射设备的内部结构的剖视图。图6中所示的溅射设备具 有可旋转的阴极旋转构件70。应当注意到,图6示出与阴极旋转构件 70的旋转轴线垂直的剖面。布置在阴极旋转构件70的侧表面上的阴 极60具有多个靶72。
阴极旋转构件70沿着其旋转方向具有四个侧表面,并且 阴极60布置在阴极旋转构件70的四个侧表面上。每个阴极60都具有 在阴极旋转构件70内突出的馈电连接端子75。在溅射室(未示出) 中,当每个阴极60都设置在与形成溅射区域的空间61面对的位置处 时,设置在该阴极60上的靶72与支承在衬底保持器66上的衬底73 相对。该衬底73是待进行沉积处理的基础衬底。
此时,磁体74与阴极60的背面(阴极旋转构件70的内 表面)相对,并且馈电端子62与阴极60的连接端子75相对。在该状 态中,当气缸63被激活以使可运动轴64向前运动时,磁体74设置在 阴极60的背面附近的位置处。当另一个气缸71被激活以使另一个可 运动轴65向前运动时,馈电端子62连接至连接端子75。电力从馈电 端子62经由连接至馈电端子62的连接端子75供应至阴极60。此后, 供应处理气体以实施溅射沉积。在完成沉积时,气缸71和63被激活 以使磁体74和馈电端子62从阴极60分离。
在日本专利特开No.2000-265264中,多个阴极60布置在 阴极旋转构件70的侧表面上,所述阴极旋转构件70构造成可旋转。 借助该结构,能使可以使用多个靶72溅射的溅射设备紧凑。
目前,经常通过相对于待进行沉积的衬底成预定的角度布 置靶(或者阴极)而进行溅射。这样,众所周知,提高了形成在衬底 上的膜的质量。
在诸如超出1米的大玻璃衬底的衬底上沉积的溅射设备 中,多个靶经常布置成与衬底相对。在该情况中,为了使膜厚分布均 匀,用于调节每个单独的靶以使其相对于衬底具有预定角度的技术日 益变得重要。
然而,在日本专利特开No.2000-265264中说明的溅射设 备中,连接端子75和从连接端子75延伸的线路经常由于阴极旋转构 件70的旋转运动而受到载荷和扭曲。这是因为线路从阴极60沿着朝 向阴极旋转构件70的内部的方向(即,沿着旋转的径向方向)突出。 特别地,当在馈电端子62和连接端子75相互接触的同时阴极旋转构 件70旋转时,施加在线路上的载荷和扭曲变得更大。由于这种载荷和 扭曲,电力不能稳定地供应到阴极60。
在日本专利特开No.2000-265264中,馈电端子62和连接 端子75构造成仅当阴极60布置在预定的位置处时才电连接。为此, 难于在有角度而不是阴极面对衬底的情况下溅射。
从前述的观点,对于日本专利特开No.2000-265264中说 明的溅射设备,难于调节阴极或靶相对于衬底的角度。
发明内容
本发明的目的是提供一种可以解决现有技术的至少一个 问题的溅射设备。该目的的一个例子是提供一种可以调节靶相对于衬 底的角度的溅射设备。
根据本发明的一个方面,提供一种溅射设备,其包括: 可旋转的旋转构件,其附装有靶; 连接端子,所述连接端子电连接至靶,并且布置在旋转构件的沿 着旋转构件的旋转轴线的方向的端部上;以及 馈电端子,其经由连接端子向靶供应电力, 其中,当旋转构件在馈电端子与旋转构件的端部接触的同时旋转 时,切换馈电端子与连接端子之间的电连接或绝缘状态。
根据本发明的另一方面,提供一种制造电子器件的方法, 所述方法包括: 使用上述的溅射设备处理待处理对象的步骤。
根据本发明的布置,可以消除电力供应的不稳定性,并且 可以调节靶相对于衬底的角度。
本发明的其它特征将从以下参照附图的示例性实施例的说 明变得清楚。
附图说明
图1是根据本发明的实施例的溅射设备的剖视图;
图2是以图1中的虚线为界的区域中的旋转构件的放大 图;
图3是从沿着旋转轴线的方向看到的旋转构件的平面图;
图4是用于解释连接端子与馈电端子之间的连接位置的允 许范围的视图;
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