[发明专利]一种适于电源极性反转的PN结隔离方法无效
| 申请号： | 200910304815.8 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101604656A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 陈奕星 | 申请（专利权）人： | 湖南麓湖微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/761 | 分类号： | H01L21/761;H01L21/8222;H01L21/8238;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 | 代理人： | 颜昌伟 |
| 地址： | 410013湖南省长沙市高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 适于 电源 极性 反转 pn 隔离 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种适于电源极性反转的PN结隔离方法，包括以下步骤：在P型衬 底双极工艺中，在P+掩埋层之间开两个N-外延层窗口，在N-外延层上注入N+，从两个注入N+ 引出两个金属端。
2.一种适于电源极性反转的PN结隔离方法，包括以下步骤：在P型衬 底CMOS或BICMOS工艺中，在P衬底上做两个N阱，在N阱中注入N+，两个N阱周围都用P+注入做 隔离，从两个注入N+引出两个金属端。
3.一种适于电源极性反转的PN结隔离方法，包括以下步骤：在BJT电 阻阱或CMOS或BICMOSN阱工艺中，在N阱上做两个P+注入环，在P+注入环及其中的N-外延层上 覆盖金属层，从两个覆盖金属层引出两个金属端。
4.一种适于电源极性反转的PN结隔离方法，包括以下步骤：在双阱 工艺中，在P型衬底上的P阱中做两个N+注入层，紧挨着N+注入做P+注入，从两个注入N+引出 两个金属端；在P型衬底上的N阱中做两个P+注入环，在P+注入环及其中的N-外延层上覆盖金 属层，从两个覆盖金属层引出两个金属端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
