[发明专利]晶圆级相机模组的镀膜方法及晶圆级相机模组无效
申请号: | 200910304992.6 | 申请日: | 2009-07-30 |
公开(公告)号: | CN101990058A | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 蔡泰生 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/225 | 分类号: | H04N5/225;H05K9/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆级 相机 模组 镀膜 方法 | ||
1.一种晶圆级相机模组的镀膜方法,其包括以下步骤:
提供一个晶圆级相机模组,其具有一个光学区和外表面,该光学区通光,该外表面包括该光学区的显露在外的表面,以及整个晶圆级相机模组显露在外的表面;
于该外表面镀遮光层;
于该遮光层上涂覆一层光阻层;通过曝光显影去除该光学区所在区域的光阻层;
沿平行于光轴的方向蚀刻该光学区所在区域的遮光层,以显露该光学区;
去除剩余的光阻层。
2.如权利要求1所述的晶圆级相机模组的镀膜方法,其特征在于:该遮光层与该光阻层之间镀有电磁屏蔽层,该沿平行于光轴的方向的蚀刻包括蚀刻该光学区所在区域的该电磁屏蔽层和该遮光层。
3.如权利要求1所述的晶圆级相机模组的镀膜方法,其特征在于:进一步提供一个光罩,该光罩设有一个通孔,该通孔和该光学区面积相等,该光阻层为正光阻,将该光罩置于该光阻层上方,该通孔与该光学区对准;曝光显影后去除该光学区所在区域的光阻层。
4.如权利要求1所述的晶圆级相机模组的镀膜方法,其特征在于:进一步提供一个光罩,该光罩的面积和该光学区面积相等,该光阻层为负光阻,将该光罩置于该光阻层上方遮盖该光学区;曝光显影后去除该光学区所在区域的光阻层。
5.如权利要求1所述的晶圆级相机模组的镀膜方法,其特征在于:该遮光层为黑色氮化铬薄膜。
6.如权利要求1所述的晶圆级相机模组的镀膜方法,其特征在于:该电磁屏蔽层含有铜和不锈钢。
7.如权利要求1所述的晶圆级相机模组的镀膜方法,其特征在于:采用溅镀法镀该电磁屏蔽层。
8.如权利要求1所述的晶圆级相机模组的镀膜方法,其特征在于:采用四氟化碳气体及氧气等离子各向异性蚀刻的方式对该光学区所在区域的遮光层、电磁屏蔽层进行蚀刻。
9.一种晶圆级相机模组,其包括晶圆级镜头模组和影像感测器,其特征在于:该晶圆级相机模组具有一个光学区和外表面,该光学区通光,该外表面包括该光学区的显露在外的表面,以及整个晶圆级相机模组显露在外的表面,该外表面除该光学区以外的表面镀有遮光层。
10.如权利要求9所述的晶圆级相机模组,其特征在于:进一步包括电路板和电磁屏蔽层,该晶圆级相机模组和该电路板电连接,该电磁屏蔽层镀于该遮光层上并和该电路板接触导通。
11.如权利要求10所述的晶圆级相机模组,其特征在于:该遮光层与该电路板接触。
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