[发明专利]薄膜太阳能电池吸收层用硒化物材料的制备方法有效
申请号: | 200910306793.9 | 申请日: | 2009-09-09 |
公开(公告)号: | CN101645473A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
发明(设计)人: | 谢元锋;黄小珂;吕宏;伍祥武;王玉民;陈进中;苏家红;何焕全;廖春图 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院;柳州百韧特先进材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 柳州市荣久专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 韦 微 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 吸收 层用硒化物 材料 制备 方法 | ||
1.一种薄膜太阳能电池吸收层用硒化物材料制备方法,所述的硒化物材料是Cu2Sex、M2Sey,其中M为或是选自Al、In、Ga中的一种元素,x的取值为0.95~1.05,y的取值为2.8~3.2,其特征在于:上述硒化物材料的制备包括以下步骤:
A.将所需元素材料按材料成分要求配比后放入容器中,在小于10 -2Pa真空度条件下封闭容器或者在充入低于大气压力的氩气、氮气或氦气的条件下封闭容器;
B.将密闭的容器置于炉内为梯度升温恒温,即以10~20℃/min的升温速率,按照最后调整到的高于材料熔点的温度分为4~5段升温恒温,每个温度段温度为:(-30~+30)℃+最后调整到的高于材料熔点的温度/(4~5)+1,恒温时间分别为2~4小时,最后温度调整到高于材料熔点的温度下保温0.1小时~10小时,使其在8小时内缓慢冷却到室温,将制备的块体从容器内取出后球磨,将粉末筛分,得到粉末产品;
C.将制备出的粉末放入热压炉模具中在500℃~900℃、30MPa~300MPa压制后按需要的尺寸加工即得到所需的块体靶材。
2. 根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池吸收层用硒化物材料的制备方法,其特征在于:步骤A中所述的所需元素材料为Cu和Se,两者的摩尔比为:Cu∶Se=2∶0.95~1.05。
3. 根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池吸收层用硒化物材料的制备方法,其特征在于:步骤A中所述的所需元素材料为M和Se,两者的摩尔比为:M∶Se=2∶2.8~3.2。
4. 根据权利要求1、2或3所述的薄膜太阳能电池吸收层用硒化物材料的制备方法,其特征在于:步骤B中所述的炉子是氮气循环冷却,且炉壁还有循环水冷却的炉子。
5. 根据权利要求4所述的薄膜太阳能电池吸收层用硒化物材料的制备方法,其特征在于:当所需要的产品为粉末时,取消步骤C。
6. 根据权利要求1、2或3所述的薄膜太阳能电池吸收层用硒化物材料的制备方法,其特征在于:步骤B中所述的高于材料熔点的温度是900℃~1250℃。
7. 根据权利要求4所述的薄膜太阳能电池吸收层用硒化物材料的制备方法,其特征在于:步骤B中所述的高于材料熔点的温度是900℃~1250℃。
8. 根据权利要求5所述的薄膜太阳能电池吸收层用硒化物材料的制备方法,其特征在于:步骤B中所述的高于材料熔点的温度是900℃~1250℃。
9. 根据权利要求1、2或3所述的薄膜太阳能电池吸收层用硒化物材料的制备方法,其特征在于:步骤A中所述的容器是内衬氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷或搪瓷的高压釜、高压罐、反应釜或反应罐。
10. 根据权利要求1、2或3所述的薄膜太阳能电池吸收层用硒化物材料的制备方法,其特征在于:步骤C中所述的热压炉是热等静压炉或热压烧结炉。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京有色金属研究总院;柳州百韧特先进材料有限公司,未经北京有色金属研究总院;柳州百韧特先进材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910306793.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型牙刷架
- 下一篇:一种实时频域超分辨方位估计方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的