[发明专利]电子装置壳体及其制作方法无效

专利信息
申请号: 200910306863.0 申请日: 2009-09-10
公开(公告)号: CN101908667A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 阎勇;李展;樊永发;赵治国;孟胤 申请(专利权)人: 深圳富泰宏精密工业有限公司
主分类号: H01Q1/22 分类号: H01Q1/22;B29C45/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电子 装置 壳体 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种电子装置壳体,其包括一本体及一形成于本体上的三维天线,其特征在于:所述本体包括一一次成型体及一与一次成型体相结合的二次成型体,该一次成型体的材质为塑料,该二次成型体的材质包含有可激光活化物,所述三维天线为一电镀层,其为对所述二次成型体的预选表面进行激光活化后电镀形成。

2.如权利要求1所述的电子装置壳体,其特征在于:所述一次成型体以注塑成型的方式制成,注塑成型一次成型体的塑料选自为聚丙烯、聚酰胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二酯及聚甲基丙烯酸甲酯中的任一种。

3.如权利要求1所述的电子装置壳体,其特征在于:所述二次成型体以注塑成型的方式制成,注塑成型二次成型体的材质为热塑性塑料、有机填充物与可激光活化物的混合物。

4.如权利要求3所述的电子装置壳体,其特征在于:所述热塑性塑料为聚对苯二甲酸丁二醇酯或聚酰亚胺。

5.如权利要求3所述的电子装置壳体,其特征在于:所述有机填充物为硅酸和/或硅酸衍生物。

6.如权利要求3所述的电子装置壳体,其特征在于:所述可激光活化物为不导电的基于尖晶石的高阶氧化物。

7.如权利要求6所述的电子装置壳体,其特征在于:所述不导电的基于尖晶石的高阶氧化物为含铜尖晶石。

8.如权利要求1所述的电子装置壳体,其特征在于:所述三维天线包括依次形成于所述二次成型体预选表面的电镀铜层、电镀镍层及电镀金层。

9.一种电子装置壳体的制作方法,其包括如下步骤:

提供一成型模具,该成型模具具有一一次成型型腔及一与该一次成型型腔相连通的二次成型型腔;

向所述一次成型型腔中注塑塑料形成电子装置壳体的一次成型体;

向所述二次成型型腔中注塑含可激光活化物的塑料形成电子装置壳体的二次成型体,该二次成型体结合于所述一次成型体上;

激光活化所述二次成型体的预选表面;

将所述被活化的二次成型体的预选表面金属化形成三维天线。

10.如权利要求9所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于:所述可激光活化物为不导电的基于尖晶石的高阶氧化物。

11.如权利要求10所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于:所述激光活化为使用激光对所述二次成型体的预选表面进行照射,使该二次成型体中的不导电的基于尖晶石的高阶氧化物的金属晶核析出于该预选表面,使该预选表面成为导体。

12.如权利要求11所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于:所述金属化的方法为对所述被活化的二次成型体的预选表面进行电镀。

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