[发明专利]遮光元件阵列、遮光元件阵列制造方法及镜头模组阵列

权利要求书

1.一种遮光元件阵列，其包括一块透光平板及设于该透光平板上的遮光屏蔽层，该遮光屏蔽层具有多个间隔分布的通光孔，其特征在于，该遮光屏蔽层包括磁屏蔽层及夹设在该透光平板及该磁屏蔽层之间的遮光层。

2.如权利要求1所述的遮光元件阵列，其特征在于：该磁屏蔽层包括自该遮光层向外依次设置的铜膜层及不锈钢膜层。

3.如权利要求1所述的遮光元件阵列，其特征在于：该遮光层包括铬层或氮化铬层。

4.如权利要求1所述的遮光元件阵列，其特征在于：该遮光元件阵列进一步包括夹设于该透光平板及该遮光层之间的滤光层。

5.一种制造遮光元件阵列的方法，其包括：

(1)提供一块透光平板；

(2)于该透光平板上设置遮光层；

(3)于该遮光层上形成磁屏蔽层；

(4)于该磁屏蔽层上涂敷陶瓷粉体层，该陶瓷粉体层包括多个间隔分布的中央区域及围绕该多个中央区域的周边区域；

(5)采用激光硬化的方式将该周边区域上的陶瓷粉体进行硬化；

(6)去除该多个中央区域上的陶瓷粉体；

(7)对该瓷屏蔽层及遮光层进行蚀刻，以使与该多个中央区域正对的透光平板曝露在外；

(8)去除该被激光硬化过的陶瓷粉体，以形成一个遮光元件阵列。

6.如权利要求5所述的制造遮光元件阵列的方法，其特征在于：该陶瓷粉体层的陶瓷粉体为磷酸铝、二氧化硅与水的混合物，其中，磷酸铝的重量百分比范围为：5％～10％，二氧化硅的重量百分比范围为：40％～45％，水的重量百分比范围为：45％～50％。

7.如权利要求5所述的制造遮光元件阵列的方法，其特征在于：该激光硬化的温度范围是[100℃，200℃]。

8.如权利要求5所述的制造遮光元件阵列的方法，其特征在于：该制造遮光元件阵列的方法进一步包括在步骤(7)与(8)之间进行一个将具有该被激光硬化过的陶瓷粉体的透光平板放入高温炉中，以使该被激光硬化过的陶瓷粉体被再次硬化的步骤。

9.如权利要求8所述的制造遮光元件阵列的方法，其特征在于：该高温炉的温度范围是[250℃，1000℃]。

10.一种镜头模组阵列，其包括：一个镜片阵列，该镜片阵列包括多个镜片；

一个与该镜片阵列叠合在一起的遮光元件阵列，该遮光元件阵列包括一块透光平板及设于该透光平板上的遮光屏蔽层，该遮光屏蔽层包括磁屏蔽层及夹设在该透光平板及该磁屏蔽层之间的遮光层，该遮光屏蔽层具有多个间隔分布的通光孔，该多个通光孔的中心轴与该多个镜片的中心轴一一重合。