[发明专利]LED器件及其制造方法

权利要求书

1.LED器件的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1)通过刻蚀反应在玻璃基板(4)上制作ITO阳极(3)；

2)清洗后放到等离子处理腔室进行等离子体处理，再放到蒸镀腔室中，在 真空条件下在玻璃基板(4)的发光面上蒸镀高纯铝(6)，所述高纯铝(6)的 纯度为99.999％以上；

3)从蒸镀腔室取出后，在高纯铝(6)表面固定金属导线作为阳极；

4)将玻璃基板(4)上的ITO阳极(3)的一面保护起来；

5)在氧化槽中进行阳极化处理，具体反应过程如下：

①在0.1-1M的酸溶液中于5-30℃、20-60V条件下进行第一步阳极化反应；

②在由1-10wt％磷酸和0.5-5wt％铬酸混合组成的刻蚀液中于40-80℃条件下 刻蚀，以除去第一步阳极化反应中生成的阳极铝；

③于5-30℃、20-60V条件下在0.1-1M的酸溶液中进行完全阳极化反应；

④在1-10％v/v磷酸溶液中于10-50℃条件下进行扩孔反应；

6)在升华仪中于真空条件下烘烤；

7)再放到蒸镀腔室中进行有机物和金属阴极层蒸镀，制作阴极(1)和有 机层(2)，即制成LED器件。

2.如权利要求1所述的LED器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤2) 之前还有步骤：用氯仿清洗后，再用由去离子水、双氧水、氨水按5∶1∶1体积 比组成的混合溶液清洗，然后再分别用氯仿和去离子水清洗，并用氮气吹干， 再依次用乙醇和去离子水清洗，然后再用氮气吹干。

3.如权利要求1所述的LED器件的制造方法，其特征在于，步骤2)所述 等离子体处理的时间为1-10分钟，所述高纯铝的厚度为100-1000纳米。

4.如权利要求1所述的LED器件的制造方法，其特征在于，步骤3)所述 固定采用银浆料固定，并在烘箱中于80-200℃条件下烘烤5-100分钟。

5.如权利要求1所述的LED器件的制造方法，其特征在于，步骤4)所述 保护采用聚羟基丁酸酯膜保护。

6.如权利要求1所述的LED器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤5) 之前还有步骤：将上述金属导线用焦油覆盖，在烘箱中于40-200℃条件下烘烤 3-15小时，或将上述金属导线用导电夹子夹住。

7.如权利要求1所述的LED器件的制造方法，其特征在于，步骤5)所述酸溶 液是草酸、硫酸、磷酸、铬酸或其混合酸溶液。