[发明专利]LED器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种LED器件及其制造方法。

背景技术

LED器件一般由四个部分组成，即依次为阴极1、有机层2、ITO(氧化铟锡)阳极3和玻璃 基板4，如图1所示，一般情况下，有机层2和ITO阳极3比玻璃基板4的折射率要大，而玻璃基 板4的折射率又要比空气大很多。根据斯涅耳折射定律，从有机层2发出来的光由于受有机层 2和ITO阳极3的影响而从侧面发射出去，对表面发光器件来说，从玻璃基板4、有机层2和 ITO阳极3的侧面发出的光对器件发光亮度没有贡献，实际从玻璃基板4表面发向外部的光只 占LED器件自身所发光总量的17.5％，如果要提高器件的发光亮度和效率，就必须减小从玻璃 基板4、有机层2和ITO阳极3侧面发出的光。

R.Windisch(Appl.Phys.Lett.，74，(1999)，2256)等人发表了一种通过改变发光表面粗 糙度来将出光效率提高50％的方法。T.Yamasaki(Appl.Phys.Lett.，76.(2000)，1243)等人 发表了一种在发光表面周期性分布硅石球来提高出光效率的方法。C.F.Madigan( Appl.Phys.Lett.，76(2000)，1650)等发表了一种在发光表面使用微透镜来提高出光效率的 方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种出光效率高的LED器件。

本发明还要提供一种上述LED器件的制造方法。

本发明解决技术问题所采用的技术方案是：LED器件，依次包括阴极、有机层、ITO阳极 和玻璃基板，在所述玻璃基板上与ITO阳极的相对面设置有多孔阳极氧化铝膜。

进一步的，所述LED器件包括LED发光器件、LED显示器件、LED照明器件。

进一步的，所述LED发光器件包括有机LED发光器件、高分子LED发光器件和无机LED发光 器件；所述LED显示器件包括有机LED显示器件、高分子LED显示器件和无机LED显示器件；所 述LED照明器件包括有机LED显示器件、高分子LED照明器件和无机LED照明器件。

LED器件的制造方法，该方法包括以下步骤：

1)通过刻蚀反应在玻璃基板上制作ITO阳极；

2)清洗后放到等离子处理腔室进行等离子体处理，再放到蒸镀腔室中，在真空条件下 在玻璃基板的发光面上蒸镀高纯铝；

3)从蒸镀腔室取出后，在高纯铝表面固定金属导线作为阳极；

4)将玻璃基板上的ITO阳极的一面保护起来；

5)在氧化槽中进行阳极化处理，具体反应过程如下：

①在0.1-1M的酸溶液中于5-30℃、20-60V条件下进行第一步阳极化反应；

②在由1-10wt％磷酸和0.5-5wt％铬酸混合组成的刻蚀液中于40-80℃条件下刻蚀，以除去 第一步阳极化反应中生成的阳极铝；

③于5-30℃、20-60V条件下在0.1-1M的酸溶液中进行完全阳极化反应；

④在1-10％v/v磷酸溶液中于10-50℃条件下进行扩孔反应；

6)在升华仪中于真空条件下烘烤；

7)再放到蒸镀腔室中进行有机物和金属阴极层蒸镀，制作阴极和有机层，即制成LED器 件。

进一步的，在所述步骤2)之前还有步骤：用氯仿清洗后，再用由去离子水、双氧水、 氨水按5∶1∶1体积比组成的混合溶液清洗，然后再分别用氯仿和去离子水清洗，并用氮气吹 干，再依次用乙醇和去离子水清洗，然后再用氮气吹干。

进一步的，步骤2)所述等离子体处理的时间为1-10分钟，所述高纯铝的厚度为 100-1000纳米。

进一步的，步骤3)所述固定采用银浆料固定，并在烘箱中于80-200℃条件下烘烤 5-100分钟。

进一步的，步骤4)所述保护采用聚羟基丁酸酯膜保护。

进一步的，在所述步骤5)之前还有步骤：将上述金属导线用焦油覆盖，在烘箱中于 40-200℃条件下烘烤3-15小时，或将上述金属导线用导电夹子夹住。

进一步的，步骤5)所述酸溶液是草酸、硫酸、磷酸、铬酸或其混合酸溶液。

本发明的有益效果是：本发明通过减少光在LED器件的玻璃基板及中间各层中的波导效 应，来提高LED器件的外耦合出光效率，进而提高LED器件的出光效率。

附图说明