[发明专利]改良西门子法中二级三氯氢硅的处理方法无效

专利信息
申请号: 200910308969.4 申请日: 2009-10-28
公开(公告)号: CN101691223A 公开(公告)日: 2010-04-07
发明(设计)人: 唐前正;张新;李钊;王璜;卫雄;山玉庸 申请(专利权)人: 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03;C01B33/107;C30B29/06
代理公司: 成都虹桥专利事务所 51124 代理人: 高芸
地址: 614000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 改良 西门子 二级 三氯氢硅 处理 方法
【权利要求书】:

1.改良西门子法中二级三氯氢硅的处理方法,其特征在于:单独收集二级三氯氢硅。

2.根据权利要求1所述的改良西门子法中二级三氯氢硅的处理方法,其特征在于:收集二级三氯氢硅后进行提纯。

3.根据权利要求2所述的改良西门子法中二级三氯氢硅的处理方法,其特征在于:采用精馏对收集二级三氯氢硅后进行提纯。

4.根据权利要求3所述的改良西门子法中二级三氯氢硅的处理方法,其特征在于:所述精馏是采用双精馏塔串联进行连续精馏。

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