[发明专利]半穿透半反射式液晶显示装置及其驱动方法

权利要求书

1.一种半穿透半反射式液晶显示装置，其包括多个像素单元，每一像素单元包括一穿透区、一反射区、一薄膜晶体管、一耦合电容、一第一液晶电容和一第二液晶电容，其特征在于：该第一液晶电容由一第一公共电极、一对应该穿透区的液晶层和一穿透电极形成，该第二液晶电容由一第二公共电极、一对应该反射区的液晶层和一反射电极形成，该薄膜晶体管与该第一液晶电容电连接，并通过该耦合电容与该第二液晶电容电连接，该对应该穿透区的液晶层与该对应该反射区的液晶层厚度基本相同。

2.如权利要求1所述的半穿透半反射式液晶显示装置，其特征在于：该第一公共电极上的公共电压小于该第二公共电极上的公共电压。

3.如权利要求2所述的半穿透半反射式液晶显示装置，进一步包括一第一基板和一与该第二基板相对设置的第二基板，其特征在于：该薄膜晶体管、该穿透电极与该反射电极设置于该第一基板，该第一公共电极与该第二公共电极设置于该第二基板，该第一公共电极与该第二公共电极之间的间隙小于该穿透电极与该反射电极之间的间隙。

4.如权利要求3所述的半穿透半反射式液晶显示装置，其特征在于：该薄膜晶体管包括一栅极、一源极和一第一漏极，该薄膜晶体管通过该第一漏极与该穿透电极电连接，该半穿透半反射式液晶显示装置进一步包括一与该第一漏极电连接的一第二漏极，该第二漏极与该反射电极对应设置。

5.如权利要求4所述的半穿透半反射式液晶显示装置，其特征在于：一存储电容线与该栅极形成在该基板靠近液晶层的表面，一第一绝缘层形成在该存储电容线、该栅极和该第一基板靠近液晶层的表面上，该源极、该第一漏极与该第二漏极形成在该第一绝缘层上，一第二绝缘层形成在该源极、该第一漏极、该第二漏极与该第一绝缘层上，该穿透电极与该反射电极形成在该第二绝缘层上，该耦合电容由该第二漏极、该第二绝缘层与该反射电极形成，该第二漏极、该第一绝缘层与该存储电容线形成一存储电容。

6.如权利要求5所述的半穿透半反射式液晶显示装置，其特征在于：该第二绝缘层包括一开口，该穿透电极通过该开口与该第一漏极电连接，该第二绝缘层包括另一开口，该第二漏极通过该另一开口与该穿透电极电连接。

7.一种半穿透半反射式液晶显示装置的驱动方法，该半穿透半反射式液晶显示装置包括多个像素单元，每一像素单元包括一穿透区、一反射区、一薄膜晶体管、一耦合电容、一第一液晶电容和一第二液晶电容，其中，该第一液晶电容由一第一公共电极、一对应该穿透区的液晶层和一穿透电极形成，该第二液晶电容由一第二公共电极、一对应该反射区的液晶层和一反射电极形成，该薄膜晶体管与该第一液晶电容电连接，并通过该耦合电容与该第二液晶电容电连接，该对应该穿透区的液晶层与该对应该反射区的液晶层厚度基本相同，该驱动方法包括以下步骤：

该第一公共电极接收一第一公共电压，该第二公共电极接收一第二公共电压，该第一公共电压小于该第二公共电压；

该薄膜晶体管的栅极接收一扫描信号使该薄膜晶体管打开，该薄膜晶体管的源极接收数据信号，该数据信号经由该薄膜晶体管的漏极传送至该穿透电极，并经由该耦合电容传送至该反射电极。

8.如权利要求7所述的驱动方法，其特征在于：设置VLCR＝m×VLCT+b，其中VLCR为反射区液晶层夹压，VLCT为穿透区液晶层夹压，m值通过该耦合电容的设置以调整，且m＜1，b值通过该第一、第二公共电压的差值调整，且b＞1。

9.如权利要求8所述的驱动方法，其特征在于：设置b＝(1-m)×VTH，其中VTH为液晶层的液晶分子开始偏转时的电压。

10.如权利要求9所述的驱动方法，其特征在于：该像素单元进一步包括一第一存储电容及一第二存储电容，该薄膜晶体管与该第一存储电容电连接，并通过该耦合电容与该第二存储电容电连接，该第一、第二存储电容电连接一存储电容线，该存储电容线接收该第一公共电压。