[发明专利]半穿透半反射式液晶显示装置及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 200910310135.7 申请日: 2009-11-20
公开(公告)号: CN102073179A 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: 林志隆;向瑞杰;姚怡安;陈盈伶 申请(专利权)人: 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133
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地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 穿透 反射 液晶 显示装置 及其 驱动 方法
【说明书】:

技术领域

发明是关于一种半穿透半反射式液晶显示装置及其驱动方法。

背景技术

液晶显示装置因具有低辐射性、体积轻薄短小及耗电低等特点,已广泛应用于手机、个人数字助理、笔记型计算机、个人计算机及电视等领域,随着相关技术的成熟与创新,其种类日益繁多。

根据液晶显示装置所利用光源的不同,液晶显示装置可分为穿透式液晶显示装置与反射式液晶显示装置。穿透式液晶显示装置须在液晶显示面板背面设置一背光源以实现图像显示,然而,背光源的耗能约占整个穿透式液晶显示装置耗能的一半,故穿透式液晶显示装置的耗能较大。反射式液晶显示装置能解决穿透式液晶显示装置耗能大的问题,但是在光线微弱的环境下很难实现图像显示。半穿透半反射式液晶显示装置能解决以上的问题。

然而,半穿透半反射式液晶显示装置因穿透模式与反射模式受到光学设计上的限制,使得穿透区与反射区的亮度电压曲线不一致而影响显示效果。为了解决该问题,业界提出一种半穿透半反射式液晶显示装置在穿透区和反射区采用不同的液晶层厚度(Duel Cell Gap),通过光学补偿以提高显示效果,然而这种半穿透半反射式液晶显示装置制程复杂。后业界又提出一种半穿透半反射式液晶显示装置,其穿透区和反射区采用基本上相同的液晶层厚度(Single Cell Gap),为了提高显示效果,其在同一像素单元的穿透区和反射区利用两个薄膜晶体管(TFT)分别驱动,这种半穿透半反射式液晶显示装置简化了制程但是需要两倍数量的薄膜晶体管,导致成本增加。

发明内容

为解决现有技术中半穿透半反射式液晶显示装置制程复杂且成本高的问题,有必要提供一种制程简单且成本低的半穿透半反射式液晶显示装置。

还有必要提供一种上述半穿透半反射式液晶显示装置的驱动方法。

一种半穿透半反射式液晶显示装置,其包括多个像素单元,每一像素单元包括一穿透区、一反射区、一薄膜晶体管、一耦合电容、一第一液晶电容和一第二液晶电容。其中,该第一液晶电容由一第一公共电极、一对应该穿透区的液晶层和一穿透电极形成,该第二液晶电容由一第二公共电极、一对应该反射区的液晶层和一反射电极形成,该薄膜晶体管与该第一液晶电容电连接,并通过该耦合电容与该第二液晶电容电连接,该对应该穿透区的液晶层与该对应该反射区的液晶层厚度基本相同。

一种半穿透半反射式液晶显示装置的驱动方法,该半穿透半反射式液晶显示装置包括多个像素单元,每一像素单元包括一穿透区、一反射区、一薄膜晶体管、一耦合电容、一第一液晶电容和一第二液晶电容,其中,该第一液晶电容由一第一公共电极、一对应该穿透区的液晶层和一穿透电极形成,该第二液晶电容由一第二公共电极、一对应该反射区的液晶层和一反射电极形成,该薄膜晶体管与该第一液晶电容电连接,并通过该耦合电容与该第二液晶电容电连接,该对应该穿透区的液晶层与该对应该反射区的液晶层厚度基本相同,该驱动方法包括以下步骤:该第一公共电极接收一第一公共电压,该第二公共电极接收一第二公共电压,该第一公共电压小于该第二公共电压;该薄膜晶体管的栅极接收一扫描信号使该薄膜晶体管打开,该薄膜晶体管的源极接收数据信号,该数据信号经由该薄膜晶体管的漏极传送至该穿透电极,并经由该耦合电容传送至该反射电极。

与现有技术相比较,本发明半穿透半反射式液晶显示装置的穿透区与反射区液晶层厚度基本相同,每一像素单元的穿透区和反射区只利用一个薄膜晶体管驱动,因此制程简单、成本低。且通过设置第一、第二公共电极上的第一、第二公共电压及耦合电容,当该半穿透半反射式液晶显示装置驱动时,反射区的液晶转动幅度比穿透区小,光线穿过反射区液晶层两次的相位差约等于光线穿过穿透区液晶层一次的相位差,因此反射区与穿透区的亮度电压曲线大致相同。

附图说明

图1是本发明半穿透半反射式液晶显示装置较佳实施方式的部分剖面结构示意图。

图2是图1中半穿透半反射式液晶显示装置的一像素单元的电路结构示意图。

具体实施方式

请参阅图1,其是本发明半穿透半反射式液晶显示装置较佳实施方式的部分剖面结构示意图。该半穿透半反射式液晶显示装置10包括一第一基板11、一与该第一基板11相对设置的第二基板12以及一夹于该第一基板11与该第二基板12之间的液晶层(图未示)。该第一基板11上形成一薄膜晶体管111、一存储电容线113、一第一绝缘层115、一第二绝缘层116、一穿透电极117和一反射电极118。该第二基板12上形成一第一公共电极121和一第二公共电极122。

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